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为了支持NAND FLASH 的系统引导，S3C2410A具备了一个叫做“Stepping Stone"的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，NAND FLASH的前4KB代码自动载入到“Steppingstone”中，然后系统自动执行这些载入的代码。一般这4KB引导代码需要将NAND FLASH 中的程序内容拷贝到SDRAM中，拷贝完后程序会转入到SDRAM中继续执行。

因为考虑到NAND FLASH的位交换问题，在NAND FLASH 向SDRAM拷贝数据时，我加入了ECC校验代码。ECC校验代码我是搬移U-BOOT的ECC部分的（这个ECC算法和VIVIBOOTLOADER的ECC算法以及YAFFS中的ECC算法是一样的）。反复测试程序显示：一旦加入ECC算法，读页数据时很多时候会出现位错误（一位或两位或两位以上的位错误），程序运行不稳定。

问题：1. 为什么多数启动代码中的Nand Flash 的数据拷贝部分没有ECC校验，是不是硬件不支持？

2. 问题会不会和NAND FLASH + SRAM 的启动方式有关呢？