共2条
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问
就是书上那种最简单的一阶补偿的基准源,没有运放的,不过是共源共栅结构。工作点都是正确的,每条支路电流6.2uA。但三极管的基极电流达到2点几uA,集电极只有3点几uA,输出vref温度特性非常差。
我想问一下这个基极电流可以通过电路设计手段大幅减小吗,还是只能换工艺模型,我用的是umc.34的 答 1: 没人回答么我自己顶一下。
是不是采用标准CMOS工艺做的三极管基极电流就会很大 答 2: 没什么办法,CMOS工艺做出来的三级管beta就是小不过总的还是二极管特性,不过gamma(是这个吧?)不再是1。
所以不能照抄书上的参数。
观察输出随温度变化的曲线,如果大部分变化还是一阶线性的,调整参数还可以补偿。
如果是类似y=-x^2的曲线,那么是二阶效应,不改电路结构没办法了。
CMOS工艺做出来得Vref好像不会很好。
我想问一下这个基极电流可以通过电路设计手段大幅减小吗,还是只能换工艺模型,我用的是umc.34的 答 1: 没人回答么我自己顶一下。
是不是采用标准CMOS工艺做的三极管基极电流就会很大 答 2: 没什么办法,CMOS工艺做出来的三级管beta就是小不过总的还是二极管特性,不过gamma(是这个吧?)不再是1。
所以不能照抄书上的参数。
观察输出随温度变化的曲线,如果大部分变化还是一阶线性的,调整参数还可以补偿。
如果是类似y=-x^2的曲线,那么是二阶效应,不改电路结构没办法了。
CMOS工艺做出来得Vref好像不会很好。
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