PN结的形成及工作原理
当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N型）材料中的空穴（电子）向N 型（ P 型）材料这边扩散，扩散的结果使得结合区形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。
当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外加电场作用下变窄，势垒削弱。
| 有奖活动 | |
|---|---|
| 这个春节你犒赏自己什么了？分享你的故事，有奖征集 | |
| 2026年“我要开发板活动”第三季，开始了！ | |
| 硬核工程师专属补给计划——填盲盒 | |
| “我踩过的那些坑”主题活动——第002期 | |
| 【EEPW电子工程师创研计划】技术变现通道已开启~ | |
| 发原创文章 【每月瓜分千元赏金 凭实力攒钱买好礼~】 | |
| 【EEPW在线】E起听工程师的声音！ | |
| 高校联络员开始招募啦！有惊喜！！ | |
 我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| OK1126B-S开发板下函数构建及步进电机驱动控制被打赏￥25元 | |
| 【S32K3XX】LPI2C 参数配置说明被打赏￥20元 | |
| OK1126B-S开发板的脚本编程及应用设计被打赏￥27元 | |
| 5v升压8.4v两节锂电池充电芯片，针对同步和异步的IC测试被打赏￥35元 | |
| 【S32K3XX】S32DS LPI2C 配置失败问题解决被打赏￥22元 | |
| 【S32K3XX】FLASH 的 DID 保护机制被打赏￥19元 | |
| OK1126B-S开发板串口通信及其使用被打赏￥18元 | |
| 【S32K3XX】多核 CORE ID 获取被打赏￥18元 | |
| OK1126B-S开发板的GPIO资源及其使用被打赏￥20元 | |
| 【分享开发笔记，赚取电动螺丝刀】三分钟快速上手驱动屏幕(Arduino IDE环境)被打赏￥23元 | |
STM32
MCU
通讯及无线技术
物联网技术
电子DIY
板卡试用
基础知识
软件与操作系统
我爱生活
小e食堂
