下图是充电回路，两个MOS串联，限流是用霍尔采样电池回路电流然后传给MCU，通过MCU实现PWM限流，实测MOS的GS驱动波形正常（见下图），现在开启限流后MOS特别烫（TO263封装，外壳已加散热器，PCB打孔加散热器，用的铜排过电流），不开限流，正常充电没问题，实测DS每次关断时会有震荡，请教是什么原因引起的，怎么解决？
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