下图是充电回路,两个MOS串联,限流是用霍尔采样电池回路电流然后传给MCU,通过MCU实现PWM限流,实测MOS的GS驱动波形正常(见下图),现在开启限流后MOS特别烫(TO263封装,外壳已加散热器,PCB打孔加散热器,用的铜排过电流),不开限流,正常充电没问题,实测DS每次关断时会有震荡,请教是什么原因引起的,怎么解决?
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