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光耦（光电耦合器）的电流、电压耐受能力分**输入侧（LED）**、**输出侧（晶体管/可控硅/MOS）**、**隔离耐压**三部分，不同型号差异极大。

### 一、输入侧（发光二极管 LED）

- **正向电流 IF（最大）**

  - 通用型：**10–60 mA**（如 EL817: 50 mA；PC817: 50 mA）

  - 大电流型：**100–150 mA**（如 TLP127: 150 mA）

  - 工作电流通常取 **5–20 mA**（兼顾寿命与 CTR）

- **正向电压 VF**

  - 典型：**1.1–1.5 V**（IF=10–20 mA 时）

- **反向电压 VR（最大）**

  - 通用：**≤ 5–6 V**（极易反向击穿，需加保护）

### 二、输出侧（晶体管/可控硅/MOS）

#### 1. 晶体管输出（最常用，如 EL817、TLP180）

- **集电极-发射极耐压 VCEO（最大）**

  - 低压：**30 V**（如 TLP113）

  - 中压：**50–80 V**（如 EL817: 80 V；TLP180: 80 V）

  - 高压：**300 V**（如 TLP127）

- **集电极电流 IC（最大）**

  - 通用：**50–100 mA**（如 EL817: 50 mA）

  - 大电流：**150–300 mA**（达林顿型）

- **饱和压降 VCE(sat)**：**0.2–1 V**（导通时）

#### 2. 可控硅/双向可控硅输出（交流开关）

- **阻断电压 VDRM**：**400–800 V**（如 MOC3063: 600 V）

- **通态电流 IT**：**100 mA–1 A**（需配散热/外部继电器）

#### 3. MOS/光耦继电器（固态继电器）

- **耐压**：**20–400 V DC/AC**

- **电流**：**0.1–6 A**（大电流型）

### 三、隔离耐压（输入-输出间）

- 通用信号隔离：**2500–5000 Vrms（1分钟）**（如 EL817: 5000 Vrms）

- 工业/安规：**5000–10000 Vrms**

- 高压隔离：**10–15 kVrms**（高速/特种）

### 四、常见型号典型值（速查）

| 型号 | 输入 IF(max) | 输出 VCEO | 输出 IC(max) | 隔离耐压 |

|---|---|---|---|---|

| EL817/PC817 | 50 mA | 80 V | 50 mA | 5000 Vrms |

| TLP180 | 50 mA | 80 V | 50 mA | 3750 Vrms |

| TLP127 | 150 mA | 300 V | 150 mA | 2500 Vrms |

| 815（达林顿） | 60 mA | 40 V | 150 mA | 5000 Vrms |

| MOC3063（可控硅） | 15 mA | 600 V | 100 mA | 7500 Vrms |

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### 五、选型与使用要点

1. **输入**：工作电流取 **5–20 mA**，加限流电阻；反向并联 **1N4148** 保护。

2. **输出**：VCEO 必须大于负载电压；IC 留 **2–3 倍余量**，避免过热。

3. **隔离**：按安规选隔离电压，爬电/电气间隙满足标准。

4. **极限参数**：所有最大电流/电压均为**短时/峰值**，长期工作必须降额。

需要我按你的**输入电压、负载电压/电流、隔离要求**，帮你选1–2款合适的光耦并给出限流电阻值吗？