共2条
1/1 1 跳转至页
MOSFET MOSFET为何发热厉害 ?
问
用两个IRF2110 组成H BIRDGE 电路。 14V供电。
按标准电路接好。上臂的MOSFET:
HIN为底时HO 输出为13。5V。
HIN为高时HO 输出为0V。
下臂正常。
当把VS接GND时。输出为12。8V。电路工作。但上臂的MOSFET发热厉害。
正常应为22。8V。 为何仅有12。8V?
请各位高手指教。 答 1: 若不是输出负载过重,就可能是G级激励电压不足,导致内阻过大 答 2: 快要沉了! 同意楼上的.是激励电压不足。
按标准电路并且参照了别人的成功电路。
下臂工作是正常的。
上臂的MOSFET不正常:
HIN为底时 HO 为13。5V。 // 正常的。
HIN为高时 HO 输出为0V。 //不正常的!应该为23V左右。
VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是0V
正常是: VB=23V。HO=23V(GATE驱动)。VS=12.8V(S 极)。
难道电路哪里模仿错了?
答 3: 更正。 VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是0V
应为
VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是 13。5V
答 4: DING 答 5: 解决了,OK!找到问题了!
又学了一点东西!
按标准电路接好。上臂的MOSFET:
HIN为底时HO 输出为13。5V。
HIN为高时HO 输出为0V。
下臂正常。
当把VS接GND时。输出为12。8V。电路工作。但上臂的MOSFET发热厉害。
正常应为22。8V。 为何仅有12。8V?
请各位高手指教。 答 1: 若不是输出负载过重,就可能是G级激励电压不足,导致内阻过大 答 2: 快要沉了! 同意楼上的.是激励电压不足。
按标准电路并且参照了别人的成功电路。
下臂工作是正常的。
上臂的MOSFET不正常:
HIN为底时 HO 为13。5V。 // 正常的。
HIN为高时 HO 输出为0V。 //不正常的!应该为23V左右。
VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是0V
正常是: VB=23V。HO=23V(GATE驱动)。VS=12.8V(S 极)。
难道电路哪里模仿错了?
答 3: 更正。 VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是0V
应为
VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是 13。5V
答 4: DING 答 5: 解决了,OK!找到问题了!
又学了一点东西!
共2条
1/1 1 跳转至页
回复
我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| 低功耗超声波液位测距仪(ESP32S3)被打赏¥27元 | |
| 在K230DBOX上实现多时段语音提示功能被打赏¥14元 | |
| 使K230DBOX实现相机持续拍照功能被打赏¥12元 | |
| 基于K230DBOX的文本管理器设计被打赏¥14元 | |
| 基于K230DBOX的彩色画板功能实现被打赏¥15元 | |
| 在K230DBOX上实现音乐播放器功能被打赏¥15元 | |
| NXP MCU系列开发板MCULink固件升级方法【VSCode】被打赏¥28元 | |
| 三分钟快速搭建NXP MCU开发环境(VSCode)被打赏¥22元 | |
| 为遥控小车巧添功能被打赏¥26元 | |
| 【S32K3XX】FlexCAN 模块配置使用被打赏¥30元 | |
我要赚赏金
