问 各位高手，小的在这有礼了，请教一个MOS管的问题，
请问增强型MOS管和耗尽型MOS有什么区别？
它们各在什么状态下面工作？ 答 1: 一个平时截至，加电压导通，一个平时导通，加电压趋向截至顾名思义，就是漏极电流是随栅源极电压“增强”还是“耗尽” 答 2: 还是没有明白！NPN三极管E极电压等于B极电压减导通压降（约700mV)，
那N沟道MOS管S极电压是不是也等于G极电压减去MOS的开启电压？ 答 3: 增强型与耗尽型不同的是阈值。增强型──阈值是正的。未加任何电压（VGS=0）时没有形成沟道，随着VGS上升（N管），沟道慢慢形成。
耗尽型──阈值是负的。未加任何电压（VGS=0）时已经有沟道，要想它截止，必须加一个负的VGS（N管）使沟道耗尽。
增强型与耗尽型ID-VGS曲线是向同一个方向的，也就是说（N管），ID都是随VGS增加而增加（不是指绝对值）。这与N管和P管的区别不同，虽然P管的阈值也是负的，但它的ID-VGS曲线也倒了个方向。

MOS管工作在饱和区，且漏电流不太大时，源极电位约等于栅极电位减阈值。ID增加，VGS也必须增加。因为MOS管的跨导比双极型管一般要小很多，所以VGS的变化比VBE的变化要显著。
不考虑MOS管的工作条件时，VGS可为任何不使栅氧击穿的值。 答 4: 同意asunmad同意asunmad 的说法。我建议你去看看他们的转移特性曲线！ 答 5: 谢谢 asunmad 这位大哥的指点!!! 答 6: asunmad说得不错^_^