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5V双RS232驱动器/接收器

T1780/LT1781双RS驱动器/接收器具有单5V电源、低功耗（只有40mW)、±15kV ESD保护（在RS232线端不需要昂贵的TransZorbs）。只用0.1μF外部电容器便可工作在120k

Baud(对于负载RL=3K，CL=2500pF)，250kBaud（对于负载RL=3,CL=1000pF)。

LT1780/LT1781与EIA

RS232标准是完全一致的。它的输出能承受±30V而不损坏。在关闭或断电条件下其驱动器和接收器的输出处于高阻抗态。LT1780/LT1781的应用包括：便携计算机，电池供电的系统，电源发生器，终端，调制解调器等。

接收器：

接收器可以更大量采用数字集成电路。当然接收器的数字电路越靠近天线，便越能发挥接收的优势。因此有人认为可将模拟数字转换器置于射频系统的输出端，以便直接进行射频取样。这个设计看似较为可取，但这里产生另一个问题，我们不得不加以考虑。为了能够预先抑制不需要的带外信号，以及满足模拟数字转换器所要求的频率范围，已接收的信号在输入模拟数字转换器之前必须先加以滤波，以及接受自动增益控制。因此很多数字接收器采用折衷的办法，先由输出端的第一及第二中频级将模拟信号转为数字信号，使带外信号还未进入模拟数字转换器之前先行接受滤波，也确保部分信号在未进入模拟数字转换器之前先行在模拟级接受自动增益控制，以尽量避免带内信号过驱动模拟数字转换器，使信号在进行模拟数字转换之前可以达到最大的信号增益。此外，我们若采用中频取样及数字接收技术，便无需另外加设中频级如混频器、滤波器及放大器，有助减低成本，而且系统设计工程师若采用可编程数字滤波器取代固定的模拟滤波器，便可充分发挥设计上的灵活性。

器件：

德州仪器(TI)日前宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器TPS28225。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的DC/DC转换器等。

TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰(EMI)，在7V至8V电压范围内，每相位电流超过40A时器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。该驱动器的其他特性还包括低阻抗吸入(典型值为0.4欧姆)与源电流(典型值为1欧姆)功能 ；可接受宽泛的电压输入信号范围(3V至24V范围)；单引脚上支持Space-saving(输入)与PowerGood(输出)信号；独特的输入级可与所有业界标准的模拟与数字控制器相兼容；提供针对窄占空比信号的智能管理功能。

针对较低栅极驱动器，驱动器的0.4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于阈值电平，以确保高dV/dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。TPS28225提供的三态脉宽调制(PWM)输入与TITPS40091等所有多相控制器相兼容。断电模式则能使负载免受反向输出电压的影响。

TPS28225 MOSFET驱动器现已投入量产，可通过TI及其授权分销商订购获得。该器件采用低成本的8引脚SOICDFN封装与散热增强型3毫米×3毫米8引脚DFN封装两种封装版本。

IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器，它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术，并采用双直插式封装，可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准的CMOS电平兼容，输出驱动特性可满足交叉导通时间最短的大电流驱动输出级的设计要求。其悬浮通道与自举技术的应用使其可直接用来驱动一个工作于母线电压高达600V的、在高边或低端工作的N沟道MOSFET或IGBT。

2 内部结构及工作原理

IR2117的内部结构及工作原理框图如图2所示。它在内部集成有一个施密特触发器，一个脉冲增益电路，两个欠压检测及保护电路，一个电平移位网络，一个与非门，一个由两个MOSFET组成的互补功放输出级、一个RS触发器以及一个脉冲滤波器共九个单元电路。

正常工作时，若IR2127的逻辑电源部分及输出电源部分不欠压，则来自用户控制脉冲形成单元的信号先由施密特触发器整形，再经脉冲增益环节放大后，由电平移位网络进行电平移位与匹配，再经RS触发器触发后由互补推挽输出级输出驱动外接的MOSFET或IGBT。一旦输入逻辑部分电源或输出功放级悬浮电源中有一个出现欠压，则两部分中将有一个输出信号被封锁而使输出驱动脉冲变为低电平。

4.1 应用注意事项

在使用IR2117时，首先应注意如下几点：

（1）若VB由Vcc采用自举技术得到，则接于引脚Vcc与VB之间的二极管应为超快恢复二极管，其反向耐压要大于600V。

（2）在使用自举技术产生VB时，接于VB与VS之间电容应为高稳定、低串联电感、高频率特性的优质电容，可选满足该要求的瓷片电容或钽电容，电容容量为0.1～1μF均可，该电容量将随IR2117工作频率的提高而下降。

（3）利用IR2117可直接驱动电流容量较小的MOSFET或IGBT，但对电流容量大于100A以上的MOSFET或IGBT，et IR2117直接驱动就不合适了，此时应考虑对输出脉冲进行功放。（4）可用来驱动工作母线电压不高于600V系统中的MOSFET或IGBT，但实际使用时应考虑回路中电感的存在以及Ldi/dt等因素引起的电压过冲，因此，通常应用于母线电压不高于400V（如国内电网对单交流整流后的310V）的系统中。

（5）可用来驱动高端或低端通道中的一个MOSFET或IGBT。

（6）从IR2117到被驱动的MOSFET或IGBT的引线应尽可能短，其往返引线长度应限于200mm以内，并应尽可能使用绞线或同轴电缆屏蔽线，最好将被驱动的MOSFET或IGBT与IR2117装于同一印制板上用印刷线条直接相连。

应用举例

IR2117的结构及特点决定了它可用来驱动一个高端或低端MOSFET或IGBT，图4给出了应用IR2117驱动MOSFET而设计的斩波器的系统原理图，图中PWM的脉冲形成由专用集成电路TL494来获得，VB应用自举技术获得，图4(a)与图4(b)分别给出了IR2117用来驱动高端和低端MOSFET的主电路原理图。