![]() |
1、选择 LDO的基本要素 包括输入电压范围、预期输出电压、负载电流范围以及其封装的功耗能力。此外,地脚电流 Ignd 或静态电流 Iq、电源波纹抑制比 PSRR、噪声及封装等也是 LDO 选择时的应关注的因素。 2、输入输出电压差 输入输出电压的差值是 LDO 最重要的参数之一。在保证输出电压稳定的前提下,该电压差越低,稳压器的性能越好,效率越高。反之,当确定 LDO 能够提供预期输出电压时,需要进一步考虑其压降。输入电压必须大于预期输出电压与特定压降之和,即 3、静态电流 LDO自身存在的静态电流,不容忽视。例如,电池供电时,为最大化电池的运行时间,应选择相对于负载电流来说,Iq 极低的 LDO。假设,LDO供电时,Iq 只增加0.02%的微不足道的电池消耗,那么在 100mA 负载情况下,采用 200μA 的 Iq 就比较合理。 4、外围的电容器 典型的 LDO 应用时,需要添加额外的输入和输出电容器。选择对电容器稳定性方面没有要求的 LDO,可以降低尺寸与成本,另外某些情形甚至可省略这些电容。一般地做法是,选用较低串联等效阻抗 ESR 的电容器可提高 PSRR、降低噪声以及保持对负载变化的快速瞬态响应能力,而不仅仅是提高电容容量的问题。从这方面讲,可节约一定的成本。 5、低功耗设计中的问题 由于电池的放电特性的差异性,某些情况下,压降对电池寿命将产生决定性影响。例如,碱性电池放电速度就比较慢些,其电源电压在压降情况下可以提供比 NiMH 电池更多的容量。因此,较低的 Iq 并不能始终保证长电池寿命。哈哈,这点似乎与上面的第 3 点互相矛盾!你必须在 Iq 和压降之间仔细权衡,以便在电池寿命期间获得最大的容量,这才是最重要的。 |
共1条
1/1 1 跳转至页
LDO应用的考量因素

关键词: 用的 考量 因素
共1条
1/1 1 跳转至页
回复
打赏帖 | |
---|---|
C语言函数宏的三种封装方式被打赏50分 | |
【STM32F769】记一次由于开启D-Cache之后DMA数据传输出错的问题查找与解决被打赏35分 | |
嵌入式LinuxC语言程序调试和宏使用技巧被打赏50分 | |
让代码中包含最新的编译时间信息被打赏50分 | |
【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】STM32F769LVGL优化显示被打赏26分 | |
rtthread硬件加密--2crc加密分析被打赏10分 | |
【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】STM32F769驱动ST7789以及显示优化被打赏36分 | |
【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】S32K146 PAL模拟I2C驱动适配被打赏23分 | |
我想要一部加热台+电源硬件设计规范被打赏16分 | |
我想要一部加热台+LED背光驱动芯片RT9293知识被打赏18分 |