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　　这个强大的驱动器可以吸收高达5A的电流并提供高达2.4A的电流，从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流MOSFET。LTC4443/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联MOSFET。当驱动3000pF负载时，快速12ns上升时间和8ns下降时间最大限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护，以防止高端和低端MOSFET同时导通，并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管，可简化电路。

　　LTC4443/-1包括一个三态PWM输入以用于电源级停机，该输入与所有具三态输出功能的多相 控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6V至9.5V范围驱动高端和低端MOSFET的栅极，并在电源电压高达38V时工作。“-1”版本具有较高的6.2V VCC欠压闭锁，而不是3.2V，以用来驱动标准5V逻辑N沟道MOSFET。

图1：同步MOSFET驱动器用于DC/DC转换器。

　　性能概要：LTC4443/-1

　　同步N沟道MOSFET驱动器
大驱动电流─提供2.4A，吸收5A
自适应贯通保护
驱动3000pF负载时高端栅极下降时间为8ns
驱动3000pF负载时高端栅极上升时间为12ns
三态PWM输入用于电源级停机
集成自举肖特基二极管
最高电源电压为38V
栅极驱动电压为6V至9.5V
LTC4443的UVLO为3.2V
LTC4443-1的UVLO为6.2V