在先进IC技术中，传统的直流测试不一定能发现由新材料和失效机制引起或恶化的可靠性问题。由于脆弱性增加、功率密度增大以及新的失效机制，芯片面积缩小、新材料和设计变复杂对器件寿命产生巨大影响。对于使用新的高k材料的纳米级栅极电介质尤其如此。用以前的工艺加工的器件能有100年寿命，现在却只有10年寿命——令人不安地接近系统的预期寿命。因此，必须在从开始设计、全面测试到生产阶段中持续地监测可靠性。
怎么地呢？？
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