基础实验：
1、跑马灯
2、串口实验
3、24LC02读写（图） 视频+源码
4、ADC转换 （工程包）
（做ADC实验发现的电路板问题）图
5、USB2.0通信
6、CAN总线
7、EXTI实验
设想要实现的功能：
1、TFT显示
2、nRF24L01全双工通信
3、超声波测距
4、DS18B20
5、RTC实时时钟
6、SD卡读写
7、MP3播放
8、网络通信
9、uC/GUI移植
10、虚拟信号分析仪（集示波器、函数发生器、数据记录仪、滤波器设计）
RAM ( Random-access memory ) 即随机存取存储器，与ROM（Read-Only Memory,只读存储器）相比RAM的存取速度快很多，但是掉电数据丢失，而ROM掉电数据不丢失。
SRAM（Static RAM）即 静态RAM，与DRAM（Dynamic RAM）即 动态RAM 是两个相对的概念。“静态”是指SRAM存入数据后不需要定时对其进行刷新，只要不断电其数据可以长时间保存。 DRAM存入数据后必须定时刷新才能保存数据，这也是“动态”二字的含义。 因为制造工艺的原因SRAM的成本比DRAM贵很多，等面积SRAM的存储容量低于DRAM，SRAM的存取速度略高于DRAM。 SSRAM(synchronous static RAM) 即 同步静态RAM ，“同步 ”是说它内部有同步时钟。它的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动，地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。而异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。/****搜了半天居然没弄清楚 异步SRAM 的缩写，估计应该是ASRAM***/ SDRAM（:Synchronous Dynamic RAM）即 同步动态RAM，“同步 ”是说它内部有同步时钟，这与SSRAM的“同步”意义相同。而“动态”则与DRAM的“动态”含义相同，即需要动态刷新才能持续保存数据。 PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory) 即 伪SRAM ，它的外部属性和SRAM很新像，存储数据后不需要刷新，外部接口和SRAM也很像。但是它的内部结构是在SDRAM的基础上做了一定修改得到的，所以把它叫做“伪SRAM”，也就是说：从外部看起来好像是SRAM， 但内部结构却和DRAM差不多。 NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory)非易失性随机访问存储器，是指断电后仍能保持数据的一种RAM。它既具有普通RAM存取速度高、可以随机访问的特点，又能保证数据在断电后不丢失。 再来说说ROM吧，下面是ROM简史，资料来源于百度百科http://baike.baidu.com/view/2467082.htm。 ROM（Read Only Memory，只读存储器），ROM内部的程数据掉电不丢失，是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法烧录进去的，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份，ROM一般只用在大批量应用的场合。很明显，最早的ROM用起来很不方便，修改程序很困难，且成本很高。 由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。 EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。 由于EPROM烧写程序操作不便，EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）应运而生。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容。由于据有烧写程序操作简便、烧写次数很多的优点，EEPROM正被大量、广泛的使用。 顺便对比下 Nand FLASH 和Nor FLASH，下面这个网站上讲的非常详细 。 参考网站： http://blog.chinaunix.net/u/23109/showart_166778.html FLASH是非易失闪存技术，分为两大类：Nand FLASH 和Nor FLASH。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，东芝公司1989年发表了NAND flash结构。他们的主要区别有以下几点 1.读写速度：NOR的读速度比NAND稍快一些，NAND的写入速度比NOR快很多。
【基础分】 【技术评分】
评选规则
a）报名成功：2分
b）论坛发主题帖：5分
c）配图：5分
d）关键代码：5分
e）采买信息：3分
f）焊接信息：5分
g）效果展示：5分
h）上传展示视频：5分/个（累加不超过15分）
i）主题帖更新：3分（一天内更新只计算一次）
a）基础实验：20分。包含以下内容细分：
（1）定时器各种应用（定时、中断、输入捕捉、输出比较）5分
（2）AD数据采集：2分
（3）DA信号波形产生（方波，三角波，频率可调）：2分
（4）GPIO 输入中断：1分
（5）LED跑马灯实验：1分
（6）DS18B20温度数据采集实验（单总线协议实现）：2分
（7）EEPROM（AT24LC02）读写实验（I2C总线实现）：2分
（8）UART-RS232通信功能实现：5分（其中查询方式实现1分，中断方式显示2分，DMA方式实现2分，累计不超过5分）
b）SDRAM读写实现：5分
c）SD 卡存储读写实现：3分， 若在此基础上实现FAT文件系统加10分
d）MP3播放功能实现：5分
e）10M以太网实现：5分，若在此基础上实现其他功能（如web server）酌情加分（5~20分不等）
f）3.2寸TFT_LCD液晶：显示功能实现，5分，触摸功能实现：5分
g）CAN总线收发功能实现：5分
h）nRF24L01无线通信功能：半双工：5分，全双工：10分
i）超声波测距功能实现：5分
j）USB2.0读写功能实现：10分
k）RTOS（含uCOS-II和FreeRTOS）移植实现：10分
l） 其他：本次ARM DIY活动本着“开源有益、共同学习、启迪兴趣、创新思维”的宗旨服务广大网友和电子设计爱好者，以公平、公开、公正的评价标准，鼓励大家在熟练掌握STM32单片机的基础上，发散思维，积极创新。凡电子产品设计，技术是核心，创新才是灵魂，希望大家不限于以上所列功能的实现，设计出更多更好的创意功能，只要大家能够想得到，而且做得到，实现了具体的功能，有实物照片或者视频为证，经我们EEPW论坛版主或专家评定后，都会给予加分，加分不设上限。
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