NAND型闪存控制器IC GBDriver RA6 RoHS指令对应产品
PCMCIA,ATA接口型
编入设备/ 硅磁盘/CompactFlash® 用
NAND型闪存通过反复修改存储单元结构,单元大小及功能,随着微小化的发展快速地推进着大容量化和低价格化。
但是,如果在不确保兼容性的情况下加速闪存的更新换代,会使NAND型闪存的供应变得困难,并使系统导入及系统设计受到局限的风险
增大。
TDK GBDriverRA6可在支持传统NAND型闪存的同时,通过控制最新闪存(TwoPlane吸入闪存)排除此类风险。
由于GBDriverRA6对应了最大传输速度33.3MB/s的UltraDMA Mode2,所以能够以业界最高水平的速度控制最新闪存。
此外,还采用了全新的写入分散处理方法。即使对内存进行了不平衡的写入,也可以控制写入使其不集中在闪存的一个部分。
配合本次新装备的系统强化功能(智能命令对应及所有扇区数设置功能[限幅功能]),可以实现NAND型闪存的长寿命化,并且在替代HDD
的用途中,也可以放心使用NAND型闪存。
特点
●对应PIO-Mode2。突发写入时为20MB/s (相当于138倍速),向主 TQFP128pin Single Chip
机的读出性能也实现了23MB/S (相当于150倍速) 。 96
●可控制最大8GB的闪存。对应多家闪存供应商。
●采用通过TDK 独有的闪存控制系统提高客户系统耐电源遮断性的 97
设计。
●命令应答规范及电源管理规范依据CF+and CompactFlash
Specification Version3.0。
●支持智能命令。搭载有在NAND型闪存的使用过程中可将块数,空
块数,不良块数作为数值读出的功能,因此可以预测内存的使用
寿命。
●CIS信息,Identify Drive命令的供应商专用领域可以定制。
●搭载有数据领域所有扇区数设置功能(限幅功能)。
可以将分配给数据领域的物理块数设置得较少,由此可以增加闪 No.1 terminal
存的可重写次数。
●支持依据了ATA规格的保护功能。加上迄今为止TDK独有的读写 128 33
保护(Write Protect/Read Protect)功能,客户可以进行密码
(Password)的设置与解除。
●对应RoHS指令。
构成部件,引线端子等完全排除了EU (欧盟)RoHS指令所禁止
的有害物质。
1 根据您所要使用的闪存而定。
2 关于您所要使用的闪存,请事先向本公司确认。 1.0ref. 5 x.
主要用途
●简约闪卡
●硅磁盘装置
●设备编入用