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SiP是“System in Package”的缩写，意思为：系统级封装，一种设计或产品将不同的半导体设备整合使用的方式，如将存储器设备与Soc（System on Chip, 系统级芯片）封装在同一单芯片中。

近年来，SiP产品的市场需求迅速增长。以前，SiP的产品通常主要应用于使用电池为工作能源，需要相对较小的PCB设计及低功耗产品应用中，如：手机，数码摄像机。在DDR存储器工作频率不断的提高，客户在使用高速DDR存储器设备进行相关设计的时候，不断遇到成本，散热设计，研发时间不够等严重影响项目开发的风险问题。因此，大部分客户，即便在针对非电池类应用产品（如数字电视，数码录像机）设计时，也主要考虑使用将高速存储器与SoC芯片封装在单一芯片中的SiP的设计方式，从而进一步降低系统的成本及提高可靠性。

富士通FCRAM SiP方案提供了可以减小PCB面积，降低PCB层数，节省防EMI（电磁干扰）和SI（信号干扰）的被动元器件，降低PCB设计风险，提高设计灵活性等优势。

通常在终端产品的设计中，整个系统的存储器快速运作需求会造成数据传输及降低相关噪音的设计难度。此外，针对越来越高的功耗，系统级的散热设计也变的越来越复杂。富士通半导体倾力推出的FCRAM产品将通过SiP的应用来彻底解决上述问题， 同时降低PCB设计的风险和整个设计的成本。

 FCRAM SiP应用的优势

富士通256Mbit和512Mbit的消费类FCRAM具备，适用于125度高温的工作温度范围，低功耗，高速数据传输带宽等特别适用于SiP应用的优点。

使用传统SDRAM （DDR2或LP DDR）的SiP应用工作温度只能支持95度，相对之，使用支持125度的FCRAM应用于SiP可以提供更简单的散热设计及设计成本。

转自：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fcram/sip/