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作为行业中最大的铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory)供应商，富士通公司早在1998年就将铁电随机存储器结合到微处理器中，并在1999年推出批量产品，均为行业之最。新一代的非易失性铁电随机存储器在性能上超过现有的存储器，比如电可擦除只读存储器（EEPROM）、电池后备供电静态读写存储器（BBSRAM）。铁电随机存储器耗电更少，对于多次读写运算具有更高的耐受性。这一突破性存储介质正在各种应用中使用，包括智能卡、无线射频识别（RFID）和安全应用。

铁电随机存储器属于非易失性存储器，但在其它各方面则类似于随机存储器。因此，和其它类型的非易失性存储器相比（如电可擦除只读存储器和闪存），它的特点是写入速度更快，擦写次数更多，同时耗电少。

富士通是最早创立嵌入式铁电随机存储器制程的半导体制造商。富士通的铁电随机存储器器件在岩手县（Iwate）工厂生产，并获得ISO9002 和ISO14001认证。

什么是铁电随机存储器的材料？
钙钛矿类型结构(ABO3)的PZT (Pb {ZrTi}O3)是铁电随机存储器中使用的最常见的材料。在应用和排除外电场后，PZT的电极化（ Zr/Ti 原子的上/下移动）仍然存在，从而带来了非易失性的特质。因此，数据存储所消耗的电量非常小。

• 比电可擦除只读存储器（EEPROM）读写速度快30,000倍
• 比电可擦除只读存储器（EEPROM）擦写次数高出100,000倍
• 比电可擦除只读存储器（EEPROM）的耗电少200倍
• 出众的防干扰性能

富士通提供独立的铁电随机存储器和无线射频识别器，以及客户自由工具(COT)、晶片代工和客户设计服务。