本文以图示的方式与大家分享直流Vgs-id测试的步骤:
传统的只有直流的Vgs-id和通过4200-RBT,偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试,使用2个 SMU,其源和本体连接到地(SMA的同轴电缆屏蔽层)。
在4200脉冲IV测量CMOS晶体管过程中,直流Vgs-id[1]的测试如图8和图9所示。
图8. 直流Vgs-id ITM definition选项页
图9. 直流Vds-id ITM Graph选项页
Vgs–id-pulse[2]测试如图10和图11所示。
图10. Vds-id-pulse UTM definition选项页
由于脉冲测试是UTMS(用户测试模块),所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。
图7. 脉冲Vds-id UTM definition选项页
自加热的Vds-id和无自加热的Vds-id
该项目的测试类似于如上描述的Vds-id直流和脉冲测试,但是需要在门极和漏极电压做些修改来引起直流ITM测试结果的自加热。脉冲测试使用相同的参数值,但是脉冲的低占空比(0.1%或更低)不会引起DUT的自加热。图12是直流结果的图形,但是叠加上了一个基于脉冲的Vds-id曲线。
图12. Vds-id-noselfheating UTM Graph选项页。暗红的宽曲线是脉冲结果,对应于最上面的直流曲线(窄蓝线)。