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面向偏压温度不稳定性分析的即时VTH 测量(一)

工程师
2012-09-10 15:07:12     打赏

引言

在微缩CMOS和精密模拟CMOS技术中对偏压温度不稳定性——负偏压温度不稳定性(NBTI)和正偏压温 度不稳定性(PBTI)——监测和控制的需求不断增加。 当前NBTI1 的JEDEC标准将测量间歇期的NBTI恢复 视为促进可靠性研究人员不断完善测试技术的关键。 简单来说,当撤销器件应力时,这种性能的劣化就开始愈合。这意味着慢间歇期测量得出的寿命预测 结果将过于乐观。因此,劣化特性分析得越快,(劣 化)恢复对寿命预测的影响越小。此外,实验数据显示被测的劣化时间斜率(n)很大程度取决于测量时 延和测量速度。2 因此,为了最小化测量延时并提高 测量速度开发了几种测量技术。

什么是BTI

偏压温度不稳定性(BTI)指当MOS FET受温度应 力影响时阈值电压(VTH)不稳定的现象。通常在125℃、 漏极和源极接地的条件下,升高栅极电压来测试FET。 随时间推延,VTH 将增大。对于逻辑器件和存储器件等 应用而言,VTH 出现10%的偏移就会使电路失效。对于匹配双晶体管等模拟应用而言,出现更小的偏移就会 使电路失效。影响FET匹配的许多工艺偏差可以通过 增大晶体管面积来缓和,剩下的限制因素是BTI。

即时(OTF)法

Denais等人3 提出了一种用VTH 偏移相关的间接测量将间歇期测量的恢复减至最小的方法。间歇期测量 序列通过仅3次测量缩短无应力时间,如图1所示。 这种方法几乎能用任何一种参数测量系统实现,只是 实现的程度有所不同。但大多数GPIB控制的仪器都缺 乏灵活性并受限于GPIB通信时间和仪器内部速度;因此在测量过程中器件仍会保持将近100ms的无应力时 间。这些局限性不便于观测在时间极限(约100ms) 内劣化和恢复的情况。吉时利2600系列源表独特的架 构能在约2ms的时间内完成Denais的OTF间歇期测量并使测试结构回至应力状态。

 

经过一段时间,形成、提出了Denais理念的各种变化 形式,甚至将其应用于常规使用中以监测工艺引起的BTI 偏移。这里的每一种方法都有优缺点。本应用笔记将探讨 BTI应用实际实现有关的仪器要求,并且将检查用于劣化 和恢复分析的几种方法。



 

高速源和测量

实现OTF技术的关键要素是采用高速源测量单元或SMU。

高速SMU具有许多关键性能:

• 连续测量速度快,连续测量的间隔小于100μs。

• 微秒分辨率时间戳确保正确的定时分析。

• 精密电压源满足漏极小偏压的要求。

• 源快速建立实现了源-测量最高速度。

• 大数据缓冲区确保连续监测器件的劣化和恢复。

 

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关键词: 面向     偏压     温度     不稳     定性分析     即时     测量    

菜鸟
2012-09-10 15:17:55     打赏
2楼
专业的知识,学习一下,关于温度的测控知识我倒是了解到很多仪器的操作知识,比如福禄克的产品在测量测试领域的温度测试工具中,温度测试仪、红外线测温仪、温度校准器、带温度器的万用数字表以及数位温度计可满足测试人员的温度测试需求了。

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