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三星(Samsung)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)
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***现代***

·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。

·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)

·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)

·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。

·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。

·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。

·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)

　　因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDR SDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。

        由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”，而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。
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***micron（美光）***
 
以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
mt——micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。
a2——内存内核版本号。
tg——封装方式，tg即tsop封装。
-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每

个bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。
winbond（华邦）
含义说明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表内存颗粒是由winbond生产
2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；
4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装
5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、

166mhz；5：5ns、200mhz
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samsung内存
例：samsungk4h280838b-tcb0
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、

63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit

的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10

为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr

内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，

第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）

×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算

，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另

一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两

位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存

条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
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mosel（台湾茂矽）

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为

v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit

，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns

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nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五

位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量

8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。

v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt
内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日

期为2003年第27周
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***常见封装形式 ***
　　TSOP

　　目前大多数的内存都采用TSOP的封装形式，到目前为止，TSOP依然保持着内存封装的主流地位。

　　TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，意即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM内存的集成电路两侧都有引脚，SGRAM内存的集成电路四面都有引脚。TSOP适合用SMT技术(表面安装技术)在PCB上安装布线。TSOP封装操作比较方便，可靠性也比较高。主流产品是HY，并且绝大多数都是SDRAM的产品。

　　BGA

　　为满足内存发展的需要，在原有封装方式的基础上，又增添了新的方式──球栅阵列封装，简称BGA。

　　BGA封装技术有这样一些特点：I/O引脚数虽然增多，但引脚间距并不小，从而提高了组装成品率。厚度和重量都较以前的封装技术有所减少。采用BGA新技术封装的内存，可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，与TSOP相比，具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。目前KingMax的内存就采用了该技术。

　　CSP

　　CSP(Chip Scale Package)，即芯片级封装的意思。作为新一代的芯片封装技术，CSP的性能又有了很大的提升。

　　CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1∶1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32mm2，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行时的可靠性，芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前很多的高频DDR内存采用该封装形式，如DDR400/433的内存条。
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但由于三星内存产品线规模较大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。不过，三星内存颗粒的型号通常采用一个16位的数字编码来命名。

　　格式为：K4XXXXXXXX-XXXXX

　　第1位代表的是芯片的功能：K表示是内存芯片

　　第2位表示的是芯片类型：4表示是DRAM

　　第3位是芯片的类型说明：S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM

　　第4、5位表示容量和刷新速率，不同的编号代表不同的含义：64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbits的容量；28、27、2A代表128Mbits的容量；56、55、57、5A代表256Mbits的容量；51代表512Mbits的容量

　　第6、7位代表数据宽度：08代表8bit；16代表16bit；32代表32bit；64代表64bit

　　最后两位代表芯片的速率：60为6ns；70为7ns；7B/7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns

　　知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用16片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆位)×16片/8=256MB(兆字节)。

　　HY(现代)内存颗粒
　　现代内存是目前市场上最常见的一个内存品牌，不过我们能够买到的大多不是现代原厂的内存条，而是采用了现代内存颗粒的普通内存。真正现代内存颗粒的编号如下：

　　格式为：HY5XXXXXXXXXXX-XX

　　其中5X表示的是内存类型：57表示SDRAM，5D则为DDR SDRAM

　　第2个X表示电压：V为3.3V，U为2.5V

　　第3、4个X表示颗粒的容量：16为16 Mbits；64、66为64 Mbits；28为128 Mbits；56为256 Mbits

　　第5个X表示的是内存颗粒的数据宽度：4表示的4bit，8为8bit，16为16bit，32为32bit

　　第6位表示的是Bank数目：1表示2 Bank，2表示4 Bank

　　横线前的最后一个X表示芯片的封装：T表示TSOP封装，Q表示TQFP封装，L表示CSP(LF-CSP)封装，F表示FBGA封装

　　横线后的两个X表示的是速度：L表示DDR200、H 表示DDR266B、K表示DDR266A、J表示DDR333

　　Micron内存颗粒
　　Micron(美光)内存颗粒的容量标志比三星的简单得多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

　　MT：Micron的厂商名称

　　48：内存的类型。48代表SDRAM，46 代表DDR，6代表Rambus

　　LC：供电电压。LC代表3V，C 代表5V，V 代表2.5V

　　16M8：内存颗粒容量为128Mbits

　　A2：内存内核版本号

　　TG：封装方式，即TSOP封装

　　-75：内存工作速率，-75即133MHz，-65即150MHz，-8即DDR266MHz(CL=2.5)。

　　西门子内存颗粒
　　目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。以HYB39S128400为例，其中128表示该颗粒的容量，后三位标示的是该内存数据宽度。Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。-7.5表示该内存的工作频率是133MHz；而-8则表示该内存的工作频率是125MHz。

KingMax内存颗粒
　　KingMax内存都是采用TinyBGA封装，特有的封装形式让你一眼就能看出是KingMax的产品。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用KingMax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产的。

　　KingMax内存颗粒有两种容量：64Mbit和128Mbits。KingMax的内存颗粒型号仅有以下3种，现将它们列出，方便查找。

　　KDL684T4AA-XX

　　KDL388P4EA-XX

　　KDL388T4AA-XX

　　短线符号后的两位表示该内存颗粒的时钟存取时间，其中70表示时钟存取时间为6ns，CL=2；50/60/75表示时钟存取时间为5ns，CL=2.5；

　　Apacer(宇瞻)DDR内存颗粒 　　 作为ACER的一家下属生产内存的厂商，它的内存颗粒都是自己生产，同时还给多家内存厂商提供OEM产品。它的颗粒也非常容易被识别。编号的规则如下：

　　格式：WXXXXXXXX

　　W代表内存颗粒是由Winbond生产

　　第1、2个X代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM

　　第3、4个X代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H

　　第5、6个X代表封装形式：H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

　　第7、8个X代表工作频率：0代表10ns，100MHz；8代表8ns，125MHz；Z代表7.5ns，133MHz；Y代表6.7ns，150MHz；6代表6ns，166MHz；5代表5ns，200MHz