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TFT LCD与 OLED显示屏直流特性分析方案
直流参数测试或直流参数分析需求的原因是什么呢?
简单地讲，是因为主动矩阵显示器包括晶体管，这些晶体管的性能直接影响显示器的性能。 之所以进行测量，是因为它们与标准CMOS器件特性分析中测量有所不同。 不仅使用的晶体管需要进行特性分析，其材料也需要进行特性分析。不过，考虑到本次讨论的目的，我们重点关注主动器件的特性分析。
通常，需要测量的参数包括:
器件电流密度
晶体管与二极管的漏电流
晶体管阈值与亚阈值电压
晶体管击穿电压(对于某些器件，击穿电压可能高达数百伏)
二极管开路和短路测试
栅极和液晶电容
此外，在某些情况下，可能需要进行直流测量与光学测量，如频谱分布。
通常，当对AMOLED或AMLCD器件进行直流参数分析时，不是对单个像素进行测试。在任意合理时间内，测量的像素数量非常多。
对于所需的大部分直流测量，需要使用一个或两个源测量单元(SMU)。例如，为了测量OLED二极管的反向偏置漏电流，可以利用一个源测量单元(SMU)对二极管进行反向偏置，然后测量其电流。通常，在生产线上选择少量二极管样品进行测试。如果时间参数非常重要，还要进行简单的GO-NOGO测试。目的是检查其电流是否低于某个阈值，如1nA。不过，如果需要进行实验室级测试，那么由于这些漏电流可能低于pA，因此需要更长的时间。
磁滞是需要进行的另一个重要测试。磁滞是因电压扫描方向变化时导致的I-V曲线偏移。在正常操作过程中，由于向晶体管施加的更新脉冲的原因，也会出现磁滞。
在理想情况下，设计人员希望器件没有磁滞。磁滞测量非常棘手：在器件特性分析期间，有时候，由于施加的电压扫描速度，器件会表现出磁滞。因此，必须谨慎选择适当的延迟时间。
一个更重要的测量是器件传输特性。该测量将为设计人员提供有关TFT性能的大量信息。它需要两个源测量单元(SMU)，一个为栅极提供扫描电压，另一个为漏极提供偏置，并测量每个栅极电压步长的漏电流。
关键词： 显示屏 直流 特性 分析 方案 进行 测量
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