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任何一种非线性器件都可以用来产生调幅彼。晶体管是一种非线性器件，只要让其工作在非线性（甲乙类，乙类或丙类）状态下，即可用它构成调幅电路。一般总是把高频载波信号和调制信号分别加在谐振功率放大器的晶体管的某个电极上，利用晶体管的发射结进行频率变换，并通过选频放大，从而达到调幅的目的。根据信号所加的电极不同，可分为基极调幅，集电极调幅和发射极调幅等多种调幅电路。它们的调幅原理基本相同。这里只介绍基极调幅电路。

基极调幅电路如图Z0906 所示，图中Cb1，Cb2分别对载波和调制信号旁路以形成通路，C3对载波和调制信号均能旁路。Rb1、Rb2为偏置电路，使晶体管发射结处于临界导通，从而使放大器工作在甲乙类状态。Tr1是高频变压器，Tr2是低频变压器，它们分别使高频载波信号和低频调制信号耦合到晶体管基极上。由图可见，载波电压、直流偏压和调制信号电压在基极电路中是串联的。故：

如把UBE + um看成是放大器晶体管的总偏压时，显然，这个偏压将随调制信号变化而变化。如图Z0907所示。这正是基极调幅电路与谐振功率放大器的区别点。这样，当加上等幅的高频载波后，由于基极偏压的变化，在集电极回路中将出现幅度随um而变化的一系列高频电流脉冲，如图所示。这种高频电流包含着许多新的频率成份，又由于集电极电路中的LC回路谐振在ω0上，所以只有ω0，和ω0±Ω三个频率成份在回路上有较大的压降，而其他成份都将滤去，因此，在回路两端便得到调幅电压ua，如图所示。

图Z0908是一个典型的基极调幅、小型近离发射机电路图。其中T1、C1、L1等组成电感三点式振荡电路，用以产生频率f0为1MHz的载波。T2组成甲乙类的基极调幅电路。作为调制信号的音频信号um，由电容C8耦合到T2的基极与L2耦合来的高频信号叠加。天线与线圈L4连接，长度由实验决定。