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最近咱们设计的基于MSP430的一级三相费控智能电表，首次采用了富士通的铁电存储器（512KB、IIC，MB85RC512T）。选铁电的之前，部门的几个哥们都提出了这个问题“工业环境中那么多电磁干扰，甚至磁铁，它会不会易于被杂散磁场扰乱。”呵呵，其实这个很多筒子都有过怀疑，俺在09年第一次接触富士通的人的时候，还向他们的FAE问了这个问题。看来富士通需要多多普及下。

其实是“铁电”这个术语起了误导作用。其实FRAM完全跟磁性无关。这一技术采用了一种具有两种状态的分子，并且这一分子在电场使其从一种状态转变为另一种状态时表现出滞后现象。因为这一滞后现象类似于磁介质中的磁滞效应，因此人们将其命名为“铁电”效应，并且这一叫法保留了下来。

富士通官网这个动态图片解释很专业，有兴趣的学习下，http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/overview/记住一条就行，铁电无铁。铁电是兼具ROM和RAM特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势的存储技术。目前在计量中应用特别多，特别是工业三相电表几乎必用！