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　　电子发烧友网整理：由Intel于2011年5月6日研制成功的世界上第一个3D三维晶体管“Tri-Gate”现在已经逐步进入大家的视线了，本文将介绍3D晶体管的优势。

　　3D晶体管 Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。

　　这种设计可以在晶体管开启状态（高性能负载）时通过尽可能多的电流，同时在晶体管关闭状态（节能）将电流降至几乎为零，而且能在两种状态之间极速切换（还是为了高性能）。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度，从而获得更高的性能和效率。Intel声称，22nm 3-D Tri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。

　　与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%，而功耗下降一半。无疑，这一巨大的改进意味着它们将是英特尔进入小型手持设备的杀手武器。“采用这种技术的终端，仅要求晶体管在运行时只用较少的电力进行开关操作。全新的晶体管只需消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中2-D平面晶体管一样的性能。”柯比表示，“低电压和低电量的好处，远远超过我们通常从一代制程升级到下一代制程时所得到的好处。它将让产品设计师能够灵活地将现有设备创新得更智能，并且有可能开发出全新的产品。”

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