EEPW论坛

这些小活动你都参加了吗？快来围观一下吧！>>

电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 基础知识 » 常用半导体二极管的主要参数

共1条 1/1 1 跳转至页

常用半导体二极管的主要参数

高工

2014-06-12 10:36:52 打赏

只看楼主 1楼

常用半导体二极管的主要参数表13 部分半导体二极管的参数

	类型
	普通检波二极管		16	³2.5	1	³40	20	250	1	f_H(MHz)150
			16	³5	1	³150	100	250	1	f_H(MHz)150
			25	³10	1		10	250	1	f_H(MHz)40
			15	³10	1		100	250	1	f_H(MHz)40
	锗开关二极管			³150	1	30	10		3	200
				³150	1	40	20		3	200
				³200	0.9	60	40		2	150
				³10	1	70	50		2	150
				³250	0.7	60	40
				³250	0.7	70	50
	硅开关二极管			³10	0.8	A³30B³45C³60D³75E³90	A³20B³30C³40D³50E³60		1.5	3
				³20					1.5	4
				³30					1	5
				³50	1
				³100
				³150
				³200
类型
整流二极管			2	0.1	1		25L 600
			6	0.3	1		50L 1000
			10	0.5	1		50L 1000
			20	1	1		50L 1000
			65	3	0.8		25L 1000
			30	1	1.1		50L 1000	5
			50	1.5	1.4		50L 1000	10
			200	3	1.2		50L 1000	10

3.常用整流桥的主要参数表14 几种单相桥式整流器的参数

		整流电流/A			反向工作电压/V	最高工作结温/^oC
QL1	1	0.05	1.2	10		130
QL2	2	0.1
QL4	6	0.3
QL5	10	0.5
QL6	20	1
QL7	40	2		15
QL8	60	3		15

4.常用稳压二极管的主要参数表15 部分稳压二极管的主要参数

	工作电流为稳定电流	稳定电压下	环境温度50^oC		稳定电流下	稳定电流下	环境温度＜10^oC
	稳定电压/V	稳定电流/mA	最大稳定电流/mA	反向漏电流	动态电阻/W	电压温度系数/10^-4/^oC	最大耗散功率/W
2CW51	2.5~3.5	10	71	5	60	³-9	0.25
2CW52	3.2~4.5		55	2	70	³-8
2CW53	4~5.8		41	1	50	-6~4
2CW54	5.5~6.5		38	0.5	30	-3~5
2CW56	7~8.8		27		15	7
2CW57	8.5~9.8		26		20	8
2CW59	10~11.8	5	20		30	9
2CW60	11.5~12.5	5	19		40	9
2CW103	4~5.8	50	165	1	20	-6~4	1
2CW110	11.5~12.5	20	76	0.5	20	9
2CW113	16~19	10	52	0.5	40	11
2CW1A	5	30	240		20		1
2CW6C	15	30	70		8		1
2CW7C	6.0~6.5	10	30		10	0.05	0.2

5.常用半导体三极管的主要参数表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数

原型号		3AX31				测试条件
新型号		3AX51A	3AX51B	3AX51C	3AX51D	测试条件
极限参数	P_CM(mW)	100	100	100	100	T_a＝25^oC
	I_CM(mA)	100	100	100	100
	T_jM(^oC)	75	75	75	75
	BV_CBO(V)	³30	³30	³30	³30	I_C＝1mA
	BV_CEO(V)	³12	³12	³18	³24	I_C＝1mA
直流参数	I_CBO(mA)	12	12	12	12	V_CB＝-10V
	I_CEO(mA)	500	500	300	300	V_CE＝-6V
	I_EBO(mA)	12	12	12	12	V_EB＝-6V
	h_FE	40~150	40~150	30~100	25~70	V_CE＝-1V I_C＝50mA
交流参数	f_a(kHz)	³500	³500	³500	³500	V_CB＝-6V I_E＝1mA
	N_F(dB)	－	8	－	－	V_CB＝-2V I_E＝0.5mA f＝1kHz
	h_ie(kW)	0.6~4.5	0.6~4.5	0.6~4.5	0.6~4.5	V_CB＝-6V I_E＝1mA f＝1kHz
	h_re(´10)	2.2	2.2	2.2	2.2
	h_oe(ms)	80	80	80	80
	h_fe	－	－	－	－
h_FE色标分档
管脚

表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数

型号		3AX81A	3AX81B	测试条件
极限参数	P_CM(mW)	200	200
	I_CM(mA)	200	200
	T_jM(^oC)	75	75
	BV_CBO(V)	-20	-30	I_C＝4mA
	BV_CEO(V)	-10	-15	I_C＝4mA
	BV_EBO(V)	-7	-10	I_E＝4mA
直流参数	I_CBO(mA)	30	15	V_CB＝-6V
	I_CEO(mA)	1000	700	V_CE＝-6V
	I_EBO(mA)	30	15	V_EB＝-6V
	V_BES(V)	0.6	0.6	V_CE＝-1V I_C＝175mA
	V_CES(V)	0.65	0.65	V_CE＝V_BE V_CB＝0 I_C＝200mA
	h_FE	40~270	40~270	V_CE＝-1V I_C＝175mA
交流参数	f_b(kHz)	³6	³8	V_CB＝-6V I_E＝10mA
h_FE色标分档
管脚

表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数

型号		3BX31M	3BX31A	3BX31B	3BX31C	测试条件
极限参数	P_CM(mW)	125	125	125	125	T_a=25^oC
	I_CM(mA)	125	125	125	125
	T_jM(^oC)	75	75	75	75
	BV_CBO(V)	-15	-20	-30	-40	I_C＝1mA
	BV_CEO(V)	-6	-12	-18	-24	I_C＝2mA
	BV_EBO(V)	-6	-10	-10	-10	I_E＝1mA
直流参数	I_CBO(mA)	25	20	12	6	V_CB＝6V
	I_CEO(mA)	1000	800	600	400	V_CE＝6V
	I_EBO(mA)	25	20	12	6	V_EB＝6V
	V_BES(V)	0.6	0.6	0.6	0.6	V_CE＝6V I_C＝100mA
	V_CES(V)	0.65	0.65	0.65	0.65	V_CE＝V_BE V_CB＝0 I_C＝125mA
	h_FE	80~400	40~180	40~180	40~180	V_CE＝1V I_C＝100mA
交流参数	f_b(kHz)	－	－	³8	f_a³465	V_CB＝-6V I_E＝10mA
h_FE色标分档
管脚

表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数

原型号		3DG6				测试条件
新型号		3DG100A	3DG100B	3DG100C	3DG100D	测试条件
极限参数	CM(mW)
	CM(mA)
	CBO(V)					C＝100µA
	CEO(V)					C＝100µA
	EBO(V)					E＝100mA
直流参数	CBO(mA)					CB＝10V
	CEO(mA)					CE＝10V
	EBO(mA)					EB＝1.5V
	BES(V)					C＝10mA I_B＝1mA
	CES(V)					C＝10mA I_B＝1mA
	FE					CE＝10V I_C＝3mA
交流参数	T(MHz)					CB＝10V I_E＝3mA f＝100MHz R_L＝5W
	P(dB)					CB＝-6V I_E＝3mA f＝100MHz
	ob(pF)					CB＝10V I_E＝0
h_FE色标分档
管脚

表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数

原型号		3DG12				测试条件
新型号		3DG130A	3DG130B	3DG130C	3DG130D	测试条件
极限参数	P_CM(mW)	700	700	700	700
	I_CM(mA)	300	300	300	300
	BV_CBO(V)	³ 40	³ 60	³ 40	³ 60	I_C＝100µA
	BV_CEO(V)	³ 30	³ 45	³ 30	³ 45	I_C＝100µA
	BV_EBO(V)	³ 4	³ 4	³ 4	³ 4	I_E＝100mA
直流参数	I_CBO(mA)	0.5	0.5	0.5	0.5	V_CB＝10V
	I_CEO(mA)	1	1	1	1	V_CE＝10V
	I_EBO(mA)	0.5	0.5	0.5	0.5	V_EB＝1.5V
	V_BES(V)	1	1	1	1	I_C＝100mA I_B＝10mA
	V_CES(V)	0.6	0.6	0.6	0.6	I_C＝100mA I_B＝10mA
	h_FE	³30	³ 30	³ 30	³ 30	V_CE＝10V I_C＝50mA
交流参数	f_T(MHz)	³ 150	³ 150	³ 300	³ 300	V_CB＝10V I_E＝50mA f＝100MHz R_L＝5W
	K_P(dB)	³ 6	³ 6	³ 6	³ 6	V_CB＝–10V I_E＝50mA f＝100MHz
	C_ob(pF)	10	10	10	10	V_CB＝10V I_E＝0
h_FE色标分档
管脚

表21 9011~9018塑封硅三极管的参数

型号		(3DG)9011	(3CX)9012	(3DX)9013	(3DG)9014	(3CG)9015	(3DG)9016	(3DG)9018
极限参数	P_CM(mW)	200	300	300	300	300	200	200
	I_CM(mA)	20	300	300	100	100	25	20
	BV_CBO(V)	20	20	20	25	25	25	30
	BV_CEO(V)	18	18	18	20	20	20	20
	BV_EBO(V)	5	5	5	4	4	4	4
直流参数	I_CBO(mA)	0.01	0.5	0,5	0.05	0.05	0.05	0.05
	I_CEO(mA)	0.1	1	1	0.5	0.5	0.5	0.5
	I_EBO(mA)	0.01	0.5	0,5	0.05	0.05	0.05	0.05
	V_CES(V)	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.35
	V_BES(V)		1	1	1	1	1	1
	h_FE	30	30	30	30	30	30	30
交流参数	f_T(MHz)	100			80	80	500	600
	C_ob(pF)	3.5			2.5	4	1.6	4
	K_P(dB)							10
h_FE色标分档
管脚

表22 常用场效应三极管主要参数

参数名称	N沟道结型				MOS型N沟道耗尽型
	3DJ2	3DJ4	3DJ6	3DJ7	3D01	3D02	3D04
	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H
饱和漏源电流I_DSS(mA)	0.3~10	0.3~10	0.3~10	0.35~1.8	0.35~10	0.35~25	0.35~10.5
夹断电压V_GS(V)	ï1~9ï	ï1~9ï	ï1~9ï	ï1~9ï	ï1~9ï	ï1~9ï	ï1~9ï
正向跨导g_m(mV)	>2000	>2000	>1000	>3000	³1000	³4000	³2000
最大漏源电压BV_DS(V)	>20	>20	>20	>20	>20	>12~20	>20
最大耗散功率P_DNI(mW)	100	100	100	100	100	25~100	100
栅源绝缘电阻r_GS(W)	³10⁸	³10⁸	³10⁸	³10⁸	³10⁸	³10⁸~10⁹	³100
管脚

0

关键词：主要参

共1条 1/1 1 跳转至页

回复

有奖活动
【有奖活动】分享技术经验，兑换京东卡
话不多说，快进群！
请大声喊出：我要开发板！
【有奖活动】EEPW网站征稿正在进行时，欢迎踊跃投稿啦
奖！发布技术笔记，技术评测贴换取您心仪的礼品
打赏了！打赏了！打赏了！

打赏帖
【笔记】生成报错synthdesignERROR被打赏50分
【STM32H7S78-DK评测】LTDC+DMA2D驱动RGBLCD屏幕被打赏50分
【STM32H7S78-DK评测】Coremark基准测试被打赏50分
【STM32H7S78-DK评测】浮点数计算性能测试被打赏50分
【STM32H7S78-DK评测】Execute in place(XIP)模式学习笔记被打赏50分
每周了解几个硬件知识+buckboost电路（五）被打赏10分
【换取逻辑分析仪】RA8 PMU 模块功能寄存器功能说明被打赏20分
野火启明6M5适配SPI被打赏20分
NUCLEO-U083RC学习历程2-串口输出测试被打赏20分
【笔记】STM32CUBEIDE的Noruletomaketarget编译问题被打赏50分

热门分类
STM32	MCU
通讯及无线技术	物联网技术
电子DIY	板卡试用
基础知识	软件与操作系统
我爱生活	小e食堂