电容的性能指标
标称容量和允许误差 :电容器储存电荷的能力,常用的单位是F、uF、pF。电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。一般,电容器上都直接写出其容量,也有用数字来标志容量的,通常在容量小于10000pF的时候,用pF做单位,大于10000pF的时候,用uF做单位。为了简便起见,大于100pF而小于1uF的电容常常不注单位。没有小数点的,它的单位是pF,有小数点的,它的单位是uF。如有的电容上标有“332”(3300pF)三位有效数字,左起两位给出电容量的第一、二位数字,而第三位数字则表示在后加0的个数,单位是pF。
额定工作电压 :在规定的工作温度范围内,电容长期可靠地工作,它能承受的最大直流电压,就是电容的耐压,也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中,要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。常用的固定电容工作电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、2500V、400V、500V、630V、1000V。
表2 常用固定电容允许误差的等
允许误差 | ±2% | ±5% | ±10% | ±20% | (+20% -30%) | (+50% -20%) | (+100%-10%) |
级 别 | 02 | Ⅰ | Ⅱ | Ⅲ | Ⅳ | Ⅴ | Ⅵ |
表3 常用固定电容的标称容量系列
电容类别 | 允许误差 | 容量范围 | 标 称 容 量 系 列 |
纸介电容、金属化纸介电容、纸膜复合介质电容、低频(有极性)有机薄膜介质电容 | 5% | 100pF-1uF | 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 |
1uF-100uF | 1 2 4 6 8 10 15 20 30 | ||
高频(无极性)有机薄膜介质电容、瓷介电容、玻璃釉电容、云母电容 | 5% | 1pF-1uF | 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 |
10% | 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 | ||
20% | 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 | ||
铝、钽、铌、钛电解电容 | 10% | 1uF-1000000uF | 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 |
绝缘电阻 :由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体,它的电阻不是无限大,而是一个有限的数值,一般在1000兆欧以上,电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻,或者叫做漏电电阻,大小是额定工作电压下的直流电压与通过电容的漏电流的比值。漏电电阻越小,漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗,这种损耗不仅影响电容的寿命,而且会影响电路的工作。因此,漏电电阻越大越好。
介质损耗 :电容器在电场作用下消耗的能量,通常用损耗功率和电容器的无功功率之比,即损耗角的正切值表示。损耗角越大,电容器的损耗越大,损耗角大的电容不适于高频情况下工作。
表4 常用电容的几项特性
电容种类 | 容量范围 | 直流工作电压(V) | 运用频率(MHz) | 准确度 | 漏电电阻(>MΩ) |
中小型纸介电容 | 470pF-0.22uF | 63-630 | 8以下 | -Ⅲ | >5000 |
金属壳密封纸介电容 | 0.01uF-10uF | 250-1600 | 直流,脉动直流 | Ⅰ>-Ⅲ | >1000-5000 |
中小型金属化纸介电容 | 0.01uF-0.22uF | 160、250、400 | 8以下 | Ⅰ>-Ⅲ | >2000 |
金属壳密封金属化纸介 | 0.22uF-30uF | 160-1600 | 直流,脉动电流 | Ⅰ>-Ⅲ | >30-5000 |
薄膜电容 | 3pF-0.1uF | 63-500 | 高频、低频 | Ⅰ>-Ⅲ | >10000 |
云母电容 | 10pF-0.51uF | 100-7000 | 75-250以下 | 02-Ⅲ | >10000 |
瓷介电容 | 1pF-0.1uF | 63-630 | 低频、高频 | 02-Ⅲ | >10000 |
铝电解电容 | 1uF-10000uF | 4-500 | 直流,脉动直流 | ⅣⅤ | |
钽、铌电解电容 | 0.47uF-1000uF | 6.3-160 | 直流,脉动直流 | ⅢⅣ | |
瓷介微调电容 | 2/7pF-7/25pF | 250-500 | 高频 | >1000-10000 | |
可变电容 | 7pF-1100pF | 100以上 | 低频,高频 | >500 |