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国外集成电路命名方法

dolphin
高工
2014-06-12 10:38:00     打赏

国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法


缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）

器件型号举例说明

AM 29L509 P C B
AMD首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类
"L"：低功耗；D：铜焊双列直插C：商用温度，没有标志的
"S"：肖特基；（多层陶瓷）；（0-70）℃或为标准加工
"LS"：低功耗肖特基；L：无引线芯片载体：（0-75）℃；产品，标有
21：MOS存储器；P：塑料双列直插；M：军用温度，"B"的为已
25：中规范（MSI）；E：扁平封装（陶瓷扁平）；（-55-125）℃；老化产品。
26：计算机接口；X：管芯；H：商用，
　27：双极存储器或EPROM ；A：塑料球栅阵列；（0-110）℃；
　28：MOS存储器理；B：塑料芯片载体I：工业用，
　29：双极微处理器；C、D：密封双列；（-40～85 ）℃；
　54/74：同25；E：薄的小引线封装；N：工业用，
　60、61、66：模拟，双极；G：陶瓷针栅陈列；（-25～85）℃；
　79：电信；Z、Y、U、K、H：塑料K：特殊军用，
　80：MOS微处理器；四面引线扁平；（-30～125）℃；
　81、82：MOS和双极处围电路；J：塑料芯片载体（PLCC）；L：限制军用，
　90：MOS；L：陶瓷芯片载体（LCC）；（-55-85）℃＜
　91：MOS RAM：V、M：薄的四面125℃。
　92：MOS；引线扁平；　
　93：双极逻辑存储器P、R：塑料双列；　
　94：MOS；S：塑料小引线封装；　
　95：MOS外围电路；W：晶片；　
　1004：ECL存储器；也用别的厂家的符号：　
　104：ECL存储器；P：塑料双列；　
　PAL：可编程逻辑陈列；NS、N：塑料双列；　
　98：EEPROM；JS、J：密封双列；　
　99：CMOS存储器。W：扁平；　
　　R：陶瓷芯片载体；　
　　A：陶瓷针栅陈列；　
　　NG：塑料四面引线扁平；　
　　Q、QS：陶瓷双列。　
AD 644 A S H /883B
ANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平
AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-
HA：混合DI：介质隔离产（0-70）℃；密双列封装883B级。
A/D；品；A、B、C：（多层陶瓷）；
HD：混合Z：工作在+12V（-25-85）℃；E：芯片载体；
D/A。的产品。（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；
（-55-125）℃。G：PGA封装
（针栅阵列）；
H：金属圆壳气
密封装；
M：金属壳双列
密封计算机部件；
N：塑料双列直插；
Q：陶瓷浸渍双列
（黑陶瓷）；
CHIPS：单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。
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关键词： 国外集成     命名方法    

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