晶体三极管 |
一、三极管的电流放大原理 |
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:储管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 |
图1、晶体三极管(NPN)的结构 |
图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。 |
二、三极管的特性曲线 |
1、输入特性 图2 (b)是三极管的输入特性曲线,它表示Ib随Ube的变化关系,其特点是:1)当Uce在0-2伏范围内,曲线位置和形状与Uce 有关,但当Uce高于2伏后,曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线(Ⅰ和Ⅱ)表示即可。 2)当Ube<UbeR时,Ib≈O称(0~UbeR)的区段为“死区”当Ube>UbeR时,Ib随Ube增加而增加,放大时,三极管工作在较直线的区段。 3)三极管输入电阻,定义为: rbe=(△Ube/△Ib)Q点,其估算公式为: rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏) rb为三极管的基区电阻,对低频小功率管,rb约为300欧。 2、输出特性 输出特性表示Ic随Uce的变化关系(以Ib为参数)从图2(C)所示的输出特性可见,它分为三个区域:截止区、放大区和饱和区。 截止区 当Ube<0时,则Ib≈0,发射区没有电子注入基区,但由于分子的热运动,集电集仍有小量电流通过,即Ic=Iceo称为穿透电流,常温时Iceo约为几微安,锗管约为几十微安至几百微安,它与集电极反向电流Icbo的关系是: Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安,锗管的Icbo约为10微安,对于锗管,温度每升高12℃,Icbo数值增加一倍,而对于硅管温度每升高8℃,Icbo数值增大一倍,虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈,但由于锗管的Icbo值本身比硅管大,所以锗管仍然受温度影响较严重的管,放大区,当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时,Ic随Ib近似作线性变化,放大区是三极管工作在放大状态的区域。 饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时,Ic基本上不随Ib而变化,失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况,可能判别其工作状态。 |
图2、三极管的输入特性与输出特性 |
截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域,三极管和导通时,工作点落在饱和区,三极管截止时,工作点落在截止区。 |
三、三极管的主要参数 |
1、直流参数 常用三极管资料下载: 点击查看9013PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9015PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看BC817资料 :贴片封装 点击查看8550PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9012PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 |