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   三极管的命名规则是什么？

   从目前接触较多的来看，主要有三大类的：一是国标命名规则，二是美、日命名规则，三是新产品的特殊命名。

   国标命名规则中：3--表示三极管，A、B—表示主要材料：鍺，C、D—表示主要材料：硅，G—小功率高频管，X—小功率低频管，D—低频大功率管，数字—表示该类型三极管的顺序号，这是基本部分，再其后的字母、数字分别表示该批次产品的分档、生产信息、时间等。如：3AD6—表示锗材料大功率三极管、3DD15—表示硅材料大功率三极管。（这种命名法比较老了）

   美、日命名规则中：用字母S或N表示PN结的个数，如1N4007就表示只有一个PN结，即二极管了。三极管是两个PN结，所以就用“2N”、“2S”开头。后缀更深层的内容，我不很清楚，请大家补充。（这种命名法现在比较多见）

   新产品的特殊命名中：最近一些年，在电脑的电源、显示器中，比较多见的三极管不用2、3来表示了，对这种高耐压、大电流的三极管，直接标示其工作电流、电压。如：7N60就表示最大工作电流是7A、耐压是600V.

   上述所说，都是平时阅读专业报刊杂志后，凭记忆整理的，不对、不全的请大家指正、补充。

这个只能问百度了，平常没有关注这些问题，只知道用什么参数的三极管，然后问供应商型号

查了这个比较全吧

一、中国半导体器件型号命名方法

   半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

 第四部分：用数字表示序号

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

二、日本半导体分立器件型号命名方法

 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、

1-二极管、

2-三极或具有两个pn结的其他器件、

3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、

B-PNP型低频管、

C-NPN型高频管、

D-NPN型低频管、

F-P控制极可控硅、

G-N控制极可控硅、

H-N基极单结晶体管、

J-P沟道场效应管、

K-N沟道场效应管、

M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。

两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；

不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；

数字越大，越是近期产品。

第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。

A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

三、美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：

用符号表示器件用途的类型。

JAN-军级、

JANTX-特军级、

JANTXV-超特军级、

JANS-宇航级、

（无）-非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。

1-二极管、

2=三极管、

3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。

N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。

A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，

JAN-军级、

2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法

    德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。

A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、

B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、

C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、

D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、

E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。

A-检波开关混频二极管、

B-变容二极管、

C-低频小功率三极管、

D-低频大功率三极管、

E-隧道二极管、

F-高频小功率三极管、

G-复合器件及其他器件、

H-磁敏二极管、

K-开放磁路中的霍尔元件、

L-高频大功率三极管、

M-封闭磁路中的霍尔元件、

P-光敏器件、

Q-发光器件、

R-小功率晶闸管、

S-小功率开关管、

T-大功率晶闸管、

U-大功率开关管、

X-倍增二极管、

Y-整流二极管、

Z-稳压二极管。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。

  三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。

A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母

A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；

其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；

后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管

排版成这样了，不好意思  各位

楼上说的对

三极管命名好像挺多的，有时候工程师和电子供应商用的就不是同一个命名规则

帮你改了一下帖子的格式，下次可以将需要复制的文字先复制到txt文档中，然后从txt文档中再复制过来，就不会有这样的现象了~ 话说，你这个找的还真全~

呵呵 ，好的，谢谢你的建议！

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 

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说的不全吧，那8050，8550，9012，9013这些三极管该怎么解释呢