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如图中所示为电路信号输入与前放部分。

1:信号输入部分硅光电倍增管需要高压击穿后打出电子，经过耦合电容进入电路。高压为103V。

2:前置放大器用的AMPTEK公司的A225 ；手册中给出测试电路的数据 放大倍率 22mv=1Mev(si)

1Mev(si)=0.044*10（-12）C  即 1Mev的能量打入硅中可以产生这么多的电荷量

由公式 Q=UC ，已知测试电容C=2pF 可得输入的测试电压为22mv .

问题：

1信号输入端电压103V、前置放大器工作电压5V ， 而且高压部分与前放部分经过耦合电容 HVCAP连接，高压纹波是噪声的主要来源，如何降低噪声？

个人想法：降低噪声方法①电路滤除噪声，对于电路设计要求较好；② 提高信噪比，放大信号；③ 隔离噪声。

求教：这个电路降噪声还有什么可以改进的地方么？

         隔离：由于硅光电倍增管打出来的电子要通过耦合电容进入前放，而且硅光电倍增管必须经过高压击穿后才可以工作，隔离难度较大，高压中的纹波很容易通过耦合电容HVCAP进入前放。

         是否可以通过给硅光电倍增管添加负高压让其工作，通过硅光电倍增管将高压与耦合电容HVcap隔开？（仅个人想法，这一条不一定可行）

2：对于高压电源（开关电源）103V 

    求教如何生成103V的直流电压呢？ 要求稳定性要好

    1：通过市压220V交流产生

    2：通过实验室直流稳压器的5V直流电压——转交流——放大——再变直流。

    这两个方法哪个好些？ 

    个人想法：第一种稳定性较差，市压不稳定

                   第二种实现起来不好实现（没有接触过开关电源）

   或者是否有生产销售在100V左右可调的高压电源的大神们可以联系我。