Schottky Barrier Diode,缩写成SBD。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
优点：
1、由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V），正向导通电压降仅为0.4V左右；
2、由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快（反向恢复时间可以小到几纳秒），开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
缺点：
1.反向偏压较低和反向漏电流偏大。反向击穿电压一般不会高于60V，最高仅约100V，现在一些高压SBD可以做到200V；反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急剧变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。
应用：SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在高频通信电路中用于检波和混频。
快恢复二极管（简称FRD）的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。性能上分为两种：快恢复二极管（一般反向恢复时间>100ns）和超快恢复二极管（FRED）（反向时间<100ns），
优点：反向恢复时间较短（100ns左右），正向压降比PN结二极管压降大（约为0..8V-201V视具体型号而定），反向击穿电压（耐压值）较高（几百V~几千V），正向电流大（几A~几千A）。
应用：主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
性能区别：
1.肖特基二极管比快恢复二极管的反向恢复时间小100倍左右；
2.肖特基二极管的正向导通压降比快恢复二极管低，故功耗低；前者开关速度比后者快；
3.肖特基二极管的反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，故多用于低压场合；
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