|
软件设置模式 |
电源电压要求 |
所接晶振 |
晶振接口内部电容 |
匹配电容 |
|
低频模式0 |
1.8 V to 3.6 V |
32768（Hz） |
1（pF） |
建议不外接电容 |
|
低频模式1 |
1.8 V to 3.6 V |
32768（Hz） |
5（pF） |
建议不外接电容 |
|
低频模式2 |
1.8 V to 3.6 V |
12000（Hz）1和4系列除外 |
8.5（pF） |
建议不外接电容 |
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低频模式3 |
1.8 V to 3.6 V |
外部时钟如：有源晶振 |
11（pF） |
建议不外接电容 |
表一 XT1晶振接口接低速晶振电气特性分析
XT1晶振接口，如果接高速晶振，关键是要考虑到它内部含有一定的匹配电容，因此在外加晶振时就必须要比XT2晶振接口电容要小一些，具体注意如下表所示：
|
软件设置模式 |
电源电压要求 |
晶振口电流 |
晶振接口外接电容 |
晶振频率 |
|
高频模式0 |
1.8 V to 3.6 V |
最大1.5mA |
15（pF） |
0.4--1MHZ |
|
高频模式1 |
1.8 V to 3.6 V |
最大1.5mA |
15（pF） |
1--4MHZ |
|
高频模式2 |
2.2 V to 3.6 V |
最大1.5mA |
15（pF） |
2--12MHZ |
|
高频模式3 |
3V to 3.6 V |
最大1.5mA |
15（pF） |
4--16MHZ |
表二 XT1晶振接口接高速晶振电气特性分析
XT2晶振接口是一个高速的晶振接口智能接高速的晶振，同时由于内部不带谐振电容，所以必须匹配好电容，根据MSP430系列芯片的数据手册，可得以下XT2晶振接口接高速晶振电气特性分析如下表所示：
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软件设置模式 |
电源电压要求 |
晶振口电流 |
晶振接口外接电容 |
晶振频率 |
|
高频模式0 |
1.8 V to 3.6 V |
最大1.5mA |
15--30（pF） |
0.4--1MHZ |
|
高频模式1 |
1.8 V to 3.6 V |
最大1.5mA |
15--22（pF） |
1--4MHZ |
|
高频模式2 |
2.2 V to 3.6 V |
最大1.5mA |
15--22（pF） |
2--12MHZ |
|
高频模式3 |
3V to 3.6 V |
最大1.5mA |
15--22（pF） |
2--16MHZ |
表三 XT2晶振接口接高速晶振电气特性分析
MSP430系列芯片所有的晶振接口上的旁路电容大概都是2pF，旁路电容我们可以看成是晶振和单片机之间的负载电容，但是旁路电容随着晶振和单片机的距离以及单片机的种类，在电气焊接时的方法不同而不同，所以为了要更好的让晶振起振，选择合适的负载能力比较强的晶振。MSP430系列芯片因为是低功耗单片机，所以他的I/O流过的电流比较小，在这种情况下就必须要求晶振的谐振电阻必须要小，因为太大了I/O不能供应足够的电流让晶振正常的工作，所以必须选择合适的谐振电阻的晶振。 MSP430系列芯片对晶振输出的正弦波震荡幅度也有要求，最低必须保证要有0.2VCC的输出电压，所以必须选择合适的谐振输出电压值的晶振。影响晶振起振的原因有晶振（ESR）、晶振启动后负载电容的大小、单片机电源电压的范围、PCB布线和电气隔离、外部的环境因素和电路板的保护涂层处理，上面具体介绍的三个参数是选择晶振时必须考虑的最主要的参数。在振荡回路中，晶体既不能过激励(容易振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易起振)。晶体的选择至少必须考虑：谐振频点，负载电容，激励功率，温度特性，长期稳定性。
MSP430系列芯片XT1口接低速晶振时，不用接外部的谐振电容，在设计电路时主要是注意PCB布线（具体参考晶振不起振原因分析及相应解决办法）以及低速晶振频率范围为（10，000--50，000）HZ，再就是软件的配置问题，在软件正确配置的条件下，通过测试低速晶振都能正常的工作（1系列的单片机可能要注意购买低速晶振的ESR要小于50KΩ）。MSP430系列芯片在选择高速晶振时，必须考虑晶振的参数来匹配MSP430系列芯片，MSP430系列芯片对晶振参数要求如下表所示：
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晶振参数 |
规格（MSP430系列芯片,5系列除外） |
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频率范围（MHz） |
450KHz--1600KHz |
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负载电容（pF） |
大于15pF |
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调整频差（ppm）精度 |
客户可以根据要求自行选择相应精度的晶振 |
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工作温度（℃） |
建议选择-20--70℃ |
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储存温度（℃） |
建议选择-50--128℃ |
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谐振电阻（Ω）（ESR） |
小于70Ω(大于8MHz的晶振这个值要小于40Ω) |
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静态电容（pF） |
小于7pF |
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激励电平（mW） |
小于1mW |
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晶振震荡的电压 |
大于0.2VCC |
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绝缘电阻 |
最小400MΩ |
表四 高速晶振电气特性表
如果是用外部的PWM波作为时钟，MSP430系列芯片要求必须要保证PWM的占空比在40%--60%之间这样才能让单片机的时钟系统正常的工作。
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