前言
STM32L1xx产品线属于意法半导体的超低功耗EnergyLiteTM平台,采用基于32位高性能CortexTM-M3的微控制器,完善了8位STM8Lxx系列,并提供了扩展的内存和更大的封装。
两个微控制器系列产品都是基于ST获得专利的130 nm超低泄漏工艺,具有多种模拟和数字外设,简化了从一种结构到另一种结构的过渡,使得用户可以利用同一个平台所需要的知识。
本应用笔记描述了STM32L1xx系列产品关键的低功耗特性,说明了其在主要关注能耗的应用中的优势。
重要提示:本文档并不能取代STM32L1xx数据手册。本文中给出的所有数值仅作参考。请参考相关的数据手册来获取有效的最新特性数据。
目录
1 STM32L1xx主要特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 高能效处理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3 多种低功耗模式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
4 为低功耗量身定做的一组外设 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
5 强大的时钟管理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
6 超安全电源监控 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
7 结论 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
8 版本历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
STM32L1xx主要特性
在备受赞誉的STM32F10x系列产品的雄厚基础上,STM32L1xx加入了多种创新,能够使不同配置下的功耗减到最小,同时保留大部分现有外设并保持准引脚兼容。
对于给定的制造工艺和晶片区域,微控制器的功耗主要取决于两个因素(动态可控):电压和频率。在STM32L1xx器件中,内部低压降调压器为大部分的逻辑电路提供了一个固定电压:确保无论电源电压是多少(可能随着便携式电池供电的产品寿命而降至1.65 V),功耗都能保持最小。
如果我们考虑时钟源,则多个级联的时钟预分频器、门控技术和逐个外设时钟管理允许在适当的频率下只激活必要的逻辑门。这是当前针对降低运行模式下功耗通用的设计原则。STM32L1xx在此方向上做了更多努力,实现了电压调节,可达到更高的处理效率。
但是,要满足所有的超低功耗要求,不能仅仅关注运行时间:对于大部分应用,挑战是在该模式下花费最少的时间和能量,并寻找合适的低功耗模式。
改进措施不仅仅包括优化深度睡眠模式,以消除每个即使是10nA的漏电流。系统也通过具有7个低功耗模式和一组能够调整为低功耗的外设得到了完善(例如日历实时时钟和LCD控制器)。这些内容在后面有详细描述。
高能效处理
STM32L1围绕工业标准32位内核Cortex-M3构建,在众多其他标准中,它针对低功耗应用而设计。Cortex-M3具有领先的性能和代码密度。虽然性能与低电流消耗无直接关系,但它是大多数低功耗应用(须周期唤醒来执行软件任务)的主要优势。这种情况下,Cortex-M3因其处理性能而在运行模式的时间更少,因此可以使深度睡眠模式的时间达到最长。如果我们仅考虑处理能耗(用mA/DMIPS表示,DMIPS代表Dhrystone MIPS,采用公共基准Rev 2.0测量),Cortex M3的性能明显优于其他架构(尤其是16位微控制器)的性能。
由于性能(用DMIPS/MHz表示)由内核及其存储器接口给出,则通过电压调节,可使处理能耗(用mA/DMIPS表示)达到最大。这种方法(也称为欠压)包括动态调节内部逻辑供电电压与工作频率。STM32L1xx提供了3个动态可选电压范围,如下图所示,从1.8 V(范围1)至1.2 V(范围3),可在能耗上提供超过25%的增益。
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