MOS场效应晶体管通常简称为场效应管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件,和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性,得到了越来越普遍的应用。
MOS管种类和结构:
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制构成增强型或耗尽型,场效应管的品种也有很多类型,主要分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两大类,又都有N沟道和P沟道之分。P沟道或N沟道共4种类型,但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不运用耗尽型的MOS管,不建议寻根究底。关于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。缘由是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,普通都用NMOS。所以,一般也多以NMOS为主,MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需求的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时分要省事一些,但没有办法避免,后边再细致引见。漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动理性负载,这个二极管很重要。顺便说一句,晶体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
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