微漏电定位emmi主要用途 
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 

微漏电定位emmi性能参数 
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； 
b)侦测波长范围900nm - 1700nm 
c)像素尺寸：30um x 30um 
d)曝光时间 20ms - 400s 
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x 
f)Back side EMMI 

微漏电定位emmi应用范围 
　1.P-N接面漏电 
　2.饱和区晶体管的热电子 
　3.P-N接面崩溃 
　4.闩锁效应 
　5.氧化层漏电流产生的光子激发