| 本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先,我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后,会对各部位的损耗进行探讨。 同步整流降压转换器的损耗发生部位 下面是同步整流降压转换器的电路简图以及发生损耗的位置。关于发生位置,用红色简称来表示。 ![]() PONH是高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗,也称为“导通损耗”。 PONL是低边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗。 PSWH是MOSFET的开关损耗。 Pdead_time是死区时间损耗。当高边和低边MOSFET同时导通时,VIN和GND处于接近短路的状态,并流过称为“直通电流”等的过电流。为了避免这种情况,几乎所有的控制器IC在高边和低边的导通/关断切换时,都会设有两者都关断的一点点时间,这就是“死区时间”。为了安全起见是需要死区时间的,但会成为损耗。 PIC是电源用IC(在这里为功率晶体管外置同步整流降压转换器用控制器IC)的电源电流。基本上是IC本身消耗的电流,是自身消耗电流。 PGATE是外置MOSFET的栅极电荷损耗。原则上MOSFET的栅极是不流过电流的,但需要用来驱动栅极电容的电荷,这会成为损耗。需要同时考虑高边和低边。 PCOIL是输出电感的DCR、直流电阻带来的传导损耗。 将这些损耗全部加在一起就是同步整流降压转换器的损耗。 损耗合计P=PONH+PONL+PSWH+Pdead_time+PIC+PGATE+PCOIL &emsp ONH:高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗&emsp ONL:低边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗&emsp SWH:开关损耗&emsp dead_time:死区时间损耗&emsp IC:自身功率损耗&emsp GATE:栅极电荷损耗&emsp COIL:电感的DCR带来的传导损耗在下一篇文章中将单独探讨每个损耗。 关键要点: ・同步整流降压转换器的损耗是各部位损耗之和 |
共5条
1/1 1 跳转至页
(DC/DC) 同步整流降压转换器的损耗
关键词: 同步 整流 降压 转换器 损耗
共5条
1/1 1 跳转至页
回复
| 有奖活动 | |
|---|---|
| 2026年“我要开发板活动”第三季,开始了! | |
| 硬核工程师专属补给计划——填盲盒 | |
| “我踩过的那些坑”主题活动——第002期 | |
| 【EEPW电子工程师创研计划】技术变现通道已开启~ | |
| 发原创文章 【每月瓜分千元赏金 凭实力攒钱买好礼~】 | |
| 【EEPW在线】E起听工程师的声音! | |
| 高校联络员开始招募啦!有惊喜!! | |
| 【工程师专属福利】每天30秒,积分轻松拿!EEPW宠粉打卡计划启动! | |
我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| RTOS怎么选?让我来给你答案!被打赏¥15元 | |
| 【S32K3XX】Flash驱动使用被打赏¥26元 | |
| 【FreeRtos】第一个任务的启动过程被打赏¥21元 | |
| 【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】FPB-RA6E2开发板的WDT功能测试被打赏¥22元 | |
| 关于cmakelist特性presets的使用被打赏¥20元 | |
| 【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】M5STACK系列屏幕质量测试程序,竟然有块亮斑?被打赏¥20元 | |
| 【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】快速搭建瑞萨FPB-RA6E2开发板开发环境被打赏¥14元 | |
| 【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】在音频测试中顺序的调整可改变功效被打赏¥18元 | |
| 【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】点阵显示模块及其应用-----献给新年的小礼物被打赏¥22元 | |
| 基于地奇星开发板的数码管模块显示技术被打赏¥23元 | |

ONH:高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗
我要赚赏金
