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编程单元：PLD顶用来寄存数据的根柢单元

　　1、浮栅编程技术

　　用浮栅编程技术出产的编程单元是一种能屡次改写的ROM，即已写入的内容可以擦去，也可以从头写入新的内容。

　　（一）叠栅型（SIMOS）存储单元

　　浮栅上的电荷无放电通路，无法走漏。

　　用紫外线照耀芯片上的玻璃窗，则构成光电电流，把栅极电子带回到多晶硅衬底，SIMOS管康复到初始的导通状况。

　　2、闪速型（Flash）存储单元

　　闪速存储单元又称为快擦快写存储单元。下图是闪速存储单元剖面图。 闪速存储单元去掉了地道型存储单元的挑选管，它不像E2PROM那样一次只能擦除一个字，而是可以用一个信号，在几毫秒内擦除一大区段。

　　因而，闪速存储单元比地道型存储单元的芯片构造更简略、更有用，运用闪速存储单元制成的PLD器材密度更高。

　　3、六管静态存储单元

　　闪速存储单元的可再编程才调约为十万次支配，但仍是不及SRAM那样有无绑缚的再编程才调，以SRAM为存储单元的现场可编程门阵列（FPGA）可以完毕无限次从一种作业逻辑改换到另一种作业逻辑的功用。