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芯片环境应力试验

高温老化寿命试验(HTOL)

参考标准：JESD22-A108；

测试条件：

For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.

Grade 0: +150℃ Ta for 1000 hours.

Grade 1: +125℃ Ta for 1000 hours.

Grade 2: +105℃ Ta for 1000 hours.

Grade 3: +  85℃ Ta for 1000 hours.

Vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.

TEST before and after HTOL at room, hot, and cold temperature.

高加速应力试验(HAST)

参考标准：JESD22-A110；

测试条件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grades 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

高温存储试验(HTSL)

参考标准：JESD22-A103 ；

测试条件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grade 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内领先水平。

GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：

芯片 ( RA)：

芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；

温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；

温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速应力试验(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；

芯片静电测试 ( ESD)：

人体放电模式测试(HBM), JS001 ；

元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；

闩锁测试(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光学检查(VI/OM) ；

扫描电镜检查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；Micro-probe;

聚焦离子束微观分析(FIB)； 

弹坑试验(cratering) ；芯片开封(decap) ；

芯片去层(delayer)；晶格缺陷试验(化学法)；

PN结染色 / 码染色试验；

推拉力测试(WBP/WBS)；红墨水试验：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)；

Raman (Raman光谱)；AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)；

芯片分析服务：

ESD / EOS实验设计；

集成电路竞品分析；

AEC-Q100 / AEC-Q104开展与技术服务；

未知污染物分析包括：化学成分组成分析、成分含量分析、分子结构分析、晶体结构分析等物理与化学特性分析材料理化特性全方位分析。镀层膜层全方位分析 (镀层膜层分析方案的制定与实施，包括厚度分析、元素组成分析、膜层剖面元素分析)；

GRGT团队技术能力：

•集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控

•集成电路竞品分析、工艺分析

•芯片级失效分析方案turnkey

•芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计

•静电防护失效整改技术建议

•集成电路可靠性验证

•材料分析技术支持与方案制定

半导体材料分析手法

芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。

芯片测试业务咨询及技术交流：