EEPW论坛

安森美半导体推出新型N沟道SiC MOSFET系列

“高效低耗”已经成为如今技术发展的新关键词，尤其在半导体行业，各种新型的材料和产品层出不穷。今天就针对这一领域介绍一下近几年比较热门的产品——MOSFET， MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，它被广泛应用于各种电子产品的电路中，所以很多相关领域的研究人员对MOSFET的创新非常感兴趣。最近安森美半导体扩展了其宽禁带（WBG）器件系列，推出了SiC MOSFET系列产品，适用于太阳能逆变器、电动汽车等产品的研发，另外还可用于不间断电源和各种服务器电源。

首先，安森美半导体的新的1200伏 (V) 和900伏 (V) N沟道SiC MOSFET可以提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性，它的快速本征二极管具有低反向恢复电荷，可以显著的降低功效损耗，极大程度上提高工作频率以及整体方案的功率密度。新型的SiC MOSFET产品拥有的小芯片尺寸能进一步增强高频工作，达至更小的器件电容和更低的门极电荷-Qg（低至220nC），从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低电磁干扰（EMI），并可使用更少（或更小）的无源器件。

最后，极强固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命，这对高要求的现代电源应用至关重要。

从MOSFET近几年的发展历程中可以看出，要达到现代可再生能源、汽车、IT和电信应用要求的具挑战性的高能效和功率密度目标，就需要高性能、高可靠的MOSFET器件。安森美SiC MOSFET系列产品提供了更低的损耗，更高的工作温度，更快的开关速度，改善的EMI和更高的可靠性。除此之外，安森美半导体的所有SiC MOSFET都不含铅和卤化物，针对汽车应用的器件都符合AEC-Q100车规和生产件批准程序（PPAP）。所有器件都采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。