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在全球节能环保法规的要求之下，很多产业都开始逐渐对自己的节能技术进行提高发展，尤其是在电子电工领域，由于其应用的广泛性和开拓性，简单一个零件的使用就会对整体的能源利用造成极大的影响，从而决定整个产品的能效。如IGBT的应用，安森美半导体公司就对IGBT的发展十分重视，在很多产品中都用到了节能高效的IGBT产品，接下来就一起了解一下。

安森美半导体拥有经AECQ-101认证的分立IGBT器件，它具有出色的热性能和电性能。由于IGBT具有极低的VCE(sat)和门极电荷，因此可将导通和开关损耗降至最低，从而实现高能效运行。安森美半导体的IGBT与快速反向恢复二极管共同封装，并采用具有竞争优势的场截止沟槽技术进行构建，该技术采用了精细的单元间距设计以创建高功率密度器件，并具有稳定的抗动态闩锁条件的特性。根据电机的功率要求，可以在逆变器每个半桥上的相应的高边和低边开关上并联多个IGBT。

除此之外，安森美的很多产品中也有对IGBT的应用。安森美半导体的VE-Trac系列PIM可以提供同类最佳的电气和热性能，支持两个主驱逆变器设计平台：VE-Trac Dual和VE-Trac Direct。其中VE-Trac Dual结合双面散热(DSC)半桥模块，在紧凑的占位内堆叠和扩展，提供一个小占位的平台方案适用于从80kW到300kW应用。该平台的首个器件是NVG800A75L4DSC，该模块的额定电压750V，额定电流800A，是现有竞争器件容量的两倍。而NVG800A75L4DSC是符合AQG-324认证的模块，其中就含有嵌入式的智能IGBT，对集成了过流和过温保护功能，提供更快的保护响应时间，因而提供更强固的整体方案。

除此之外，安森美半导体IGBT的种类和应用还有很多，其出色的性能和功效为高效低耗产品发展做出了巨大的贡献。