充电桩数据的记录和存储的非常重要的。充电桩是给新能源汽车提供电能的配套产品,充电桩在运作中需要处理大量的参数,通过系统监测数据和事件信息,实现设备集中远程监控,为设备故障诊断提供必要的数据支持,也为电站综合管理提供全面的统计数据和各类统计报表。为此所有数据必须进行统一的采集、查看和分析,并提供设备运行状态实时监测、危险警告与通知、数据查询分析、设备运行总额和管理等功能。
充电桩生产商需要挑选合适的存储芯片产品予以应对,其数据存储芯片的应用需求与智能表计非常相似。目前的铁电存储器在智能电表行业已经作为标准存储器被广泛采用,其具备的三个优势是许多同类型存储器芯片无法比拟的。FRAM存储器的三大优势分别是高速写入、耐久性以及低功耗。与EEPROM对比,FRAM存储器写入次数寿命高达10万亿次,而EEPROM芯片却仅有百万次(10^6)。富士通FRAM存储器写入数据可在150ns内完成,速度约为EEPROM存储器的3万倍。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ,约为EEPROM的1/400,在电池供电应用中是具备有巨大的优势。
FRAM、EEPROM、FLASH主要参数对比
富士通FRAM能够进行高速写入且实现高速擦除。以保障数据安全为例,若遇到黑客违法盗取及分析充电桩的机密数据信息,将导致大范围的信息泄露。对此低功耗和高速的FRAM可以利用小型电池电源,瞬间消去重要数据,从而确保用户的信息安全。这时FRAM仅需0.1mA的工作电流,就能够在0.3ms的时间内擦除256bit的数据,相比EEPROM拥有显著的优势。
FRAM、EEPROM、FLASH工作电流与消去时间对比