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    随着工艺进步，同样封装的电容耐压和容值越来越大，陶瓷电容的使用范围越来越广。但是，你如果把陶瓷电容当做一个理想电容符号来使用的时候，可能会有意想不到的问题。

    下面我们进入陶瓷电容的容值变化的世界。

    一、电压值变大了，电容值变小（耐压范围以内）

    在给出的多种电容类型中，最常用的是X5R、X7R。所有的型号在环境条件变化时都会出现电容值变化。尤其Y5V在整个环境条件区间内，会表现出极大的电容量变化。

    当电容公司开发产品时，他们会通过选择材料的特性，使电容能够在规定的温度区间（第一个和第二个字母），工作在确定的变化范围内（第三个字母）。我正在使用的是X7R电容，它在-55°C到+125°C之间的变化不超过±15%。

    当我们在电容两端加上电压时，我们发现电压就会导致电容值的变化（在耐压范围以内）。电容随着设置条件的变化量是如此之大。我选择的是一只工作在12V偏压下的耐压16V电容。数据表显示，4.7-μF电容在这些条件下通常只提供1.5μF的容量。

    我们可以看到，不同的型号，不同的耐压，不同的封装的电容，随着电压上升的下降趋势。

    对于某个给定的封装尺寸和瓷片电容类型，电容的额定电压似乎一般没有影响。

    二、交流偏压特性

    除了上面描述的直流电压会影响电容的容值，在电容上面的交流量也会影响电容的容值。

    三、随着温度的变化，不同型号的电容容值有不同的****。

    四、ESR和ESL

    电容器(图3)中除有容量成分Ｃ外，还有因电介质或电极损耗产生的电阻（ESR）及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。因此，|Z|的频率特性如图4所示呈V字型（部分电容器可能会变为U字型）曲线，ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。

    实际电容器

    实际电容器的|Z|/ESR频率特性(例)

    |Z|和ESR变为上图曲线的原因如下：

    低频率范围：低频率范围的|Z|与理想电容器相同，都与频率呈反比趋势减少。ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。

    共振点附近：频率升高，则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响，偏离理想电容器（红色虚线），显示最小值。|Z|为最小值时的频率称为自振频率，此时|Z|=ESR。若大于自振频率，则元件特性由电容器转变为电感，|Z|转而增加。低于自振频率的范围称作容性领域，反之则称作感性领域。

    ESR除了受介电损耗的影响，还受电极自身抵抗行程的损耗影响。

    高频范围：共振点以上的高频率范围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。高频范围的|Z|可由公式(2)近似得出，与频率成正比趋势增加。

    ESR逐渐表现出电极趋肤效应及接近效应的影响。

    以上为实际电容器的频率特性。重要的是，频率越高，就越不能忽视寄生成分ESR或ESL的影响。随着电容器在高频领域的应用越来越多，ESR和ESL与静电容量值一样，成为表示电容器性能的重要参数。

    以上就电容器寄生成分ESR、ESL对频率特性的巨大影响进行了说明。电容器种类不同，则寄生成分也会有所不同。接下来对不同种类电容器频率特性的区别进行说明。

    下图表示静电容量10uF各种电容器的|Z|及ESR的频率特性。除薄膜电容器以外，全是SMD型电容器。

    各种电容器的|Z|/ESR频率特性

    上图所示电容器的静电容量值均为10uF，因此频率不足1kHz的容量范围|Z|均为同等值。但1kHz以上时，铝电解电容器或钽电解电容器的|Z|比多层陶瓷电容器或薄膜电容器大，这是因为铝电解电容器或钽电解电容器的电解质材料的比电阻升高，导致ESR增大。薄膜电容器或多层陶瓷电容器的电极中使用了金属材料，因此ESR很低。

    多层陶瓷电容器和引脚型薄膜电容器在共振点附近的特性基本相同，但多层陶瓷电容器的自振频率高，感应范围的|Z|则较低。这是由于引脚型薄膜电容器中只有引脚线部分的电感增大了。

    由以上结果可以得出，SMD型的多层陶瓷电容器在较宽的频率范围内阻抗都很低，也最适于高频用途。

    下图为长度l缩短，宽度w增大的LW逆转型电容器。由图中的频率特性可知，即使容量相同，LW逆转型电容器的阻抗低于一般电容器，特性优良。使用LW逆转型电容器，即使数量少于一般电容器，也可获得同等性能，通过减少元件数量可以降低成本，缩减实装面积。

    LW逆转型电容器的外观

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