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耗尽型模拟开关再度成为备受瞩目的高效能连接

近年来，耗尽型模拟开关再度受到电子行业的关注，打破以往发展的不利局面，重新为众多电子器件工程问题提供解决方案。

之前的增强型FET有着很多的不足之处。例如，可能导致模拟信号的问题，需要在整个信号幅度范围的低失真；当增强型FET的模拟开关失去电源时，状态的不确定性；另外传导性较差，经常在隔离信号方面出现问题等。安森美半导体大力投入科研力量，开发出越来越多的耗尽型模拟开关系列，这一系列产品可以很好的解决增强型FET的不足。

相对而言，耗尽型NFET沟道电阻较低，即是在无电源状态下，传导性依然良好，且它们的设计中沟道电阻是线性的，这使得它们在整个信号幅度范围都可以高度保真。并且安森美半导体开发的专利技术设计的耗尽型FET，可以更好的隔离信号，确保在无电源时失真较低。

目前，这一技术已经在高保真耳机、立体音响等方面广泛应用。不仅在电量充足的时候，很好的解决了耳机音效问题，大幅降低噪音干扰；而且即使当电池耗尽时，也可以提供低损耗和实际无失真的立体音频旁路。

由于耗尽型模拟出色的特性，使得越来越多的被应用于各类电子器件中。耗尽型模拟开关具有多种用途，在没有电源的情况下传导高保真信号方面同样备受瞩目，发展前景良好。