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随着半导体技术的飞速发展,各种存储器相继推出,性能不断提高。目前存储器主要有以下几种类型:静态RAM(SRAM),动态RAM(DRAM)EPROM,EEPROM，FLASH MEMORY。这里讨论一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器:非易失性SRAM(NVSRAM)。
 
为解决SRAM的数据保存问题,国外著名半导体公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列产品,国内也有同类产品相继问世。面对众多的NVSRAM产品，广大用户如何选择质优价廉的产品呢?建议用户根据以下几个性能指标和价格进行选择:
 
一、保护数据的可靠性:指系统上、掉电期间NVSRAM是否被误写,这是NVSRAM最重要的一项性能指标，也是用户最关心而又难以在购买时测试的。虽然各厂家都声称自己的产品万无一失保护数据,其实真正做到这一点的却很少。大多数NVSRAM产品使用时会丢失数据,给用户带来很多问题和不便。这主要有以下几个原因:上电无保护延时,上电期间丢失数据;掉电时主电源电压下降快,保护电路不能快速将SRAM的供电从主电源切换到备用电池,或对SRAM的片选信号的封锁不及时。
 
二、保护电压:设置保护电压主要是为了防止上.掉电期间数据的误写。对于用户来说,在完全可靠保护数据的前提下,保护电压越低越好。
 
三、上电保护延时:这是指系统上电时，当VCC高于保护电压时,NV-SRAM延时多长时间才可以访问。这个延时是必要的,因为VCC高于保护电压时系统不一定正常工作,有可能正处于复位状态或不确定状态,极有可能误定NVSRAM。NVSRAM内部电路加以必要的保护延时可以有效地防止上电期间的误写。用户在使用NVSRAM时要注意产品的延时参数，系统工作时最好先测试一下NVSRAM是否已可以访问;或在初始化程序中加一段延时程序。
 
四、使用温度范围:某些NVSRAM产品保护电压会随温度变化而变化。如果使用NV-SRAM的系统要求的温度范围较大,则可以用以下办法做简单测试:将NVSRAM放在冰箱速冻室半小时左右,再立即插人系统使用，测试系统能否正常读写NV-SRAM。
 
五、访问速度:各类NV-SRAM产品上都标有访问速度，用户可以根据自己应用系统的要求进行选择。
 
六、功耗及使用寿命:国外产品都使用低功耗芯片,内部控制电路在系统正常工作时电流小于1mA,系统掉电时切换到电池供电,此时的电流仅为100nA左右。NV-SRAM都使用锂电池作后备电源,由于锂电池自耗电极低，NVSRAM的使用寿命一般可到十年左右。
 
七、价格:总的来说,国外产品价格昂贵,国内产品价格便宜,但是对于要丢失数据的芯片,即使价格再便宜,建议用户也不要选用。