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实验目标：替代传统MOS管，完成高效率电源变换，测试实际工作情况。

我在设计电源产品过程中需要经常选择适合的功率器件，各类三极管、MOS管、IGBT等器件。通过《电子产品世界》杂志社发现一种新材料碳化硅生产的高压MOS管，刚好看到杂志社联合ROHM搞的评估版测评活动，抱着试一试的心态申请了，最终审核通过了，成功收到ROHM评估板与四只SiC样品器件，2只SCT3040KR，2只SCT3040KL。在评估板基础上展开测评，在参考学习《罗姆MOSP02SCT3040KR-EVK-001产品规格书》、《使用说明书》，并实际上电简单测试并记录测试中的要点，由于个人水平有限，自己总结的不对的地方还请大家帮忙指正。

收到评估板，打开包装，器件样品以及精致的评估板如下图所示。

通过学习了解到该评估板，支持外加时钟的半桥驱动电路，可以实现大电流的半桥驱动，具有过流保护电路。其评估电路功能框图下图所示。

安装了2只TO-247-3L后，按照下图接线，没有接入功率电源情况下，接入12 V电源，三个绿色指示灯，一个红色指示灯亮（故障），+5V输出、+7.1V与-10.1V驱动电压输出。

选择单时钟信号输入，输入50KHz，5V，50%脉冲宽度输入，输出驱动波形自带死区时间的50KHz驱动波形如下图所示。

接入功率电源，如下图所示后，功率电源低端接入T2，造成上桥功率管烧坏,换了一只3040KR后，功率管驱动电路工作异常，将CN201的1端拉低使能，板上HS/LS 错误指示灯亮，按复位无效，同时MOS-G为关断的负压，到此功率驱动信号异常。

换了一只TO-247-4L功率管后，功率电源输入的正确接法如下图所示。

接下来需解决此问题才能继续进行测试。深入查阅使用说明书后，终于找到了问题的解决办法，原来使用TO-247-3L封装时需将DEMO板底部的R77/R177的零欧电压阻焊接上（如使用说明书上第22页内容）。

在DC24V功率电源下，采用15%驱动脉冲，如下图所示，即可达到负载电流3A的负载功率，不加散热器，2分钟温升不过60℃，没有深入计算也感觉电路效率很高。

到此为止，在开发评估板基础上的测试圆满完成，没有进一步深入测试高压、大电流的测试工作。

如果要测试该SIC器件，过载、过热、反冲、高压性能，在该评估板基础上，需要良好的散热与精心布置高压环境，这些测试最好放在实际产品中才能详细得到验证。

通过这个评估板测试，SiC效果到底如何，还真不确定，但是我比较满意的是评估板中自举电路对波形的精准控制！