瞬态电压抑制器(TVS)和多层/片式压敏电阻(MLV)是常见的静电防护器件,我们从主要主要性能参数中选取四个方面进行简单总结。
主要性能参数
1、最大工作电压(Max Working Voltage)
允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值),在此工作状态下ESD器件不导通,保持高阻状态,反向漏电流很小。
2、击穿电压(Breakdown Voltage)
ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地,TVS管动作电压比压敏电阻低。
3、钳位电压(Clamping Voltage)
ESD器件流过峰值电流时,其两端呈现的电压,超过此电压,可能造成ESD永久性损伤。
4、漏电流(Leakage Current)
在指定的直流电压(一般指不超过最大工作电压)的作用下,流过ESD器件的电流。一般地,TVS管的反向漏电流是nA级,压敏电阻漏电流是μA级,此电流越小,对保护电路影响越小。
5、电容(Capacitance)
在给定电压、频率条件下测得的值,此值越小,对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级),压敏电阻的寄生电容(nF级)
6、响应时间(Response time)
指ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地,TVS管的响应时间是ns级,压敏电阻是μs级,此时间越小,更能有效的保护电路中元器件。
7、寿命(ESD Pulse Withstanding)
TVS技术利用的是半导体的钳位原理,在经受瞬时高压时,会立即将能量释放出去,基本上没有寿命限制;而压敏电阻采用的是物理吸收原理,因此每经过一次ESD事件,材料就会受到一定的物理损伤,形成无法恢复的漏电通道,会随着使用次数的增多性能下降,存在寿命限制。
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多方面分析常见静电防护元器件及性能参数总结

关键词: 静电 防护 元器件
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