成果展示
全局图片
由于时间匆忙,只使用DC12V母线电压,100KHz的开关频率进行测试。测试过程中没有拍摄波形图片,只是随手记录了一些测试结果,测试结果显示:
①SiC MOS管的温升很低,150W输出功率下,管子不需要散热片
②硬件死区时间设置非常好,比软件可靠
③各处波形更接近理想模型。
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