成果展示
全局图片
由于时间匆忙，只使用DC12V母线电压，100KHz的开关频率进行测试。测试过程中没有拍摄波形图片，只是随手记录了一些测试结果，测试结果显示：
①SiC MOS管的温升很低，150W输出功率下，管子不需要散热片
②硬件死区时间设置非常好，比软件可靠
③各处波形更接近理想模型。
评估板试用感受与建议
感受：板子做的很精致，电路设计的也很用心，由于时间紧张没有来得及与一般MOS管做对比，但是从我测试数据以及经验来说，SiC MOS管确实比一般MOS管性能好很多，后对高要求设计中会优先采用SiC MOS管。
建议：罗姆的驱动隔离器件性能都不错，但是价格太高，希望未来可以降一下价。
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