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防护电路中经常采用几种常见的电路保护元器件，下面浪拓电子FAE分析几类应用中常见的误区，以期对正确的理解和选用浪涌保护器件提供帮助。

1.应用浪涌抑制器件的一般性考虑

(1) GDT、MOV、TVS元件特点比较

设计浪涌防护电路的第一个步骤就是选择适当参数的保护器件。 需要考虑的参数主要包括击穿电压(保护电平)、通流能力、连续工作电压、响应时间等。下图给出了典型保护器件的特性对比。

GDT的通过电流的能力非常强，可以达到数万安培，但其响应时间相对较长，可达数百纳秒至微秒，其故障模式为开路，不利于发现故障，一般用于防止浪涌或多级保护电路的第一级保护。并且由于续流现象，其在直流电路中的应用受到限制。

压敏电阻（MOV）由于其通流容量大的性能和低廉的价格成为广泛应用的浪涌抑制器件。但在一些对残压有较格要求的产品中，往往还要使用TVS二极管来取代压敏电阻或用来吸收压敏电阻过高的残压。

TVS与MOV都是钳位型的干扰吸收器件，但TVS的响应时间更快(亚纳秒级)和极间电容也比较小。和稳压二极管相似，TVS管有单向和双向(两个背对背连接的单向TVS)两种，在电源保护回路中般采用双向器件。但是由于TVS的通流能力比较小，不适用于独立作为吸收雷击浪涌的保护器件。

(2)多级防护电路。

利用各类保护元器件不同的特性，在对防护质量要求较高的产品中常常采取组合使用的方案。