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富士通FRAM是新一代非易失性存储器，其性能优于E²PROM和闪存等现有存储器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。
 
■描述
MB85RS64是一款8,192字×8位配置的FRAM（铁电存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS64采用串行外设接口（SPI）。MB85RS64能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。
 
MB85RS64采用的存储单元可进行10¹⁰次读写操作，相比Flash存储器和E²PROM支持的读写操作次数有显着提升。MB85RS64不像闪存和E²PROM那样需要很长时间来写入数据，并且MB85RS64不需要等待时间。
 
■特点
•位配置：8,192字×8位
•Serial Peripheral Interface:SPI对应SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作频率：20MHz（最大）
•高耐用性：100亿次读/写
•数据保留：10年(+85℃)
•工作电源电压：2.7V至3.6V
•低功耗:工作电源电流1.5(TBD)mA(Typ@20MHz)待机电流10μA(TBD)(Typ)
•工作环境温度范围：-40℃至+85℃
•封装：8针塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
引脚分配
 

 
独立FRAM提供了将 FRAM 同化到任何需要高速非易失性存储器的系统的灵活性。 FRAM不需要电池来备份其数据，从而在整个系统中节省了大量成本和电路板空间。它可以用于存储设备的设置、配置、状态，并且数据可以在以后使用。这些存储的数据可用于重置设备、分析上次状态和激活恢复操作。逐字节随机访问使内存管理更有效。
 
FRAM只是一种像ram一样运行的高速非易失性存储器。这允许程序员根据需要灵活地分配ROM和RAM 存储器映射。它为最终用户创造了在底层对FRAM进行编程以根据他们的个人进行定制的机会.