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[文章]功率MOSFET的正向导通等效电路

kutta
工程师
2021-09-20 17:48:32     打赏
一、功率MOSFET的正向导通等效电路
1）等效电路：
2）说明：
功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。
二、功率MOSFET的反向导通等效电路（1）
1）等效电路（门极不加控制）：
2）说明：
即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。
三、功率MOSFET的反向导通等效电路（2）
1）等效电路（门极加控制）：
2）说明：
功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。此工作状态称为MOSFET 的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中非常重要的一种工作状态。
四、功率MOSFET的正向截止等效电路
1）等效电路：
2）说明：
功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。
五、功率MOSFET的稳态特性总结
1）功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线：
2）说明：
功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：
当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。
3）稳态特性总结：
门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态；当Vgs<Vth时，器件处于断开状态，Vth一般为 3V；当Vgs>Vth时，器件处于导通状态；器件的通态电阻与Vgs有关，Vgs大，通态电阻小；多数器件的Vgs为 12V-15V ，额定值为 -30V；
器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的；只要实际的漏极电流有效值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的；
器件的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；
目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；
器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小（目前最小的为2-4 毫欧），在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件。


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关键词： 功率     MOSFET     正向     导通     等效电路    

未来的我
工程师
2021-09-20 18:20:51     打赏
2楼

期待更


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水方
工程师
2021-09-20 18:37:59     打赏
3楼

谢谢分享


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大华K
工程师
2021-09-20 18:50:18     打赏
4楼

学习一下


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丘球
工程师
2021-09-20 18:58:59     打赏
5楼

学习一下


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