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相移全桥电路的功率转换效率提升

针对本系列文章的主题——转换效率，本文将会给出使用实际电源电路进行评估的结果。具体而言，本文对Q1～Q4的MOSFET使用导通电阻约0.2Ω的五种快速恢复型SJ MOSFET时的结果进行了比较。测试条件为输入电压in=390V、输出电压Vout=12V、输出电流Iout=10A～50A、开关频率fsw=100kHz。

如图所示，结果显示R6020JNX（红色实线）在整个负载范围内效率最高。R6020JNX是最新一代的PrestoMOS™，具有业内先进的高速trr和优化的寄生电容。

此外，与比较对象R6020FNX（相当于上一代产品）和其他MOSFET相比，栅极阈值电压VGS(th)更高，这会使误导通导致的直通电流难以流过。通常，当VGS(th)高时，导通损耗会增加，但在PSFB电路中，可以在轻负载时调整Dead Time，在重负载时利用ZVS技术，来减少各自的导通损耗，因此，弱化了高VGS(th)带来的劣势。

从这些方面来看，可以说要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB电路的效率，选择trr尽可能小、开关特性优异的SJ MOSFET很重要。

・在SJ MOSFET的效率对比中，PrestoMOS™是效率最好的。

・要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB电路的效率，重要的是要选择trr尽可能小、开关特性优异的SJ MOSFET。