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AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线。

AO3400概述

30V N沟道MOSFET

Vds 30V

Id（Vgs=10v情况下） 5.8A

Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ

Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ

Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <52mΩ

AO3400参数描述

型号：AO3400

封装：SOT-23

电性参数：5.8A 30V

漏源电压（Vds）：30v

栅源电压 (Vgs)：±12v

连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A

连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A

功率损耗（PD 25℃）：1.4W

功率损耗（PD 70℃）：0.9W

结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃

了解AO3400输出特性曲线：

输出特性曲线是在VDS之间不加其他负载的情况下绘制的，所以输出特性曲线上的ID就是在UGS电压下ID所能提供的最大电流。从原理上讲，DS之间有一个电阻，由UGS和UDS控制，就是沟道。当它工作在恒流区时，这个电阻只受UGS控制，所以当工作在恒流区时，可以通过改变UGS来改变RDS的电阻，流过它的电流ID就会改变。

实际控制过程实际上是通过UGS来控制沟道电阻的变化，电阻的变化引起电流ID的变化。在实际分析计算过程中，跳过了沟道控制环节，直接用gm低频互导参数代替UGS与ID的变化关系，该参数取自转移特性曲线。